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중요한 상수를 마찬가지로 뽑아보면 다음과 같다.
gm=6.43×10-3, gds= 8.46×10-5 = 1/ro, VT = 0.771
따라서 이 증폭기의 이득은 약 30.86배이다. 이러한 회로에 10㎷의 Amplitude를 갖는 sine 전압을 인가하면 다음과 같은 모양의 출력을 얻을 수 있다.
하지만 예상과는 달리 이득은 약 20정도로 나타난다. 계산했던 수식과 시뮬레이션에서 사용하는 식에는 차이가 있음을 알 수 있다. 그런데 sine wave의 Amplitude가 50㎷가 되면 다음과 같이 아래쪽에 일그러진 출력을 얻게 된다.
이는 입력전압이 MOS-FET의 선형영역을 벗어나고 있기 때문에 일어나는 현상이다. 이 때에도 위쪽의 일그러지지 않은 파형을 관찰해보면 이득이 20정도가 됨을 알 수 있다.
gm=6.43×10-3, gds= 8.46×10-5 = 1/ro, VT = 0.771
따라서 이 증폭기의 이득은 약 30.86배이다. 이러한 회로에 10㎷의 Amplitude를 갖는 sine 전압을 인가하면 다음과 같은 모양의 출력을 얻을 수 있다.
하지만 예상과는 달리 이득은 약 20정도로 나타난다. 계산했던 수식과 시뮬레이션에서 사용하는 식에는 차이가 있음을 알 수 있다. 그런데 sine wave의 Amplitude가 50㎷가 되면 다음과 같이 아래쪽에 일그러진 출력을 얻게 된다.
이는 입력전압이 MOS-FET의 선형영역을 벗어나고 있기 때문에 일어나는 현상이다. 이 때에도 위쪽의 일그러지지 않은 파형을 관찰해보면 이득이 20정도가 됨을 알 수 있다.