FET 실험 ( 예비보고서 + 실험 보고서 )

소개글

FET 실험 ( 예비보고서 + 실험 보고서 )에 대한 보고서 자료입니다.

목차

◎ 예비 보고서

▶ 실험의 목표

▶ 실험 이론

◎ 결과 보고서

본문내용

레인 - 소오스간 전압 를 걸어주면, 드레인과 게이트 사이에는 역 바이어스가 걸리게 되어 전류가 게이트로는 거의 흐르지않게 되고 채널을 따라 소오스로 흐르게 될 것이다. 따라서 드레인 전류의 크기는 채널의 폭, 길이, 두께에 의하여 결정된다. 가 어느 정도 이상이 되면 공핍층이 증가하여 채널이 막히게 되는데, 이런 상태를 핀치-오프(pinch-off)라 하고 이 전압(pinch-off voltage) 이상에서는 전류가 거의 일정하게 된다. 만일 를 더울 크게 하주면 pn 접합부에서 절연파괴현상(breakdown)이 일어나게 된다. 이와 같은 특성을 그림 29-3에 나타내었다.
전달곡선의 중요한 두 점은 와 의 값이다. 이 두 점이 고정되면 전달곡선은 다음 식으로부터 그릴 수 있다.
전달특성에서 일 때 이고, 일 때, 임을 주목하라. JFET의 유용한 파라미터는 다음과 같다.
① : 드레인 - 소오스 포화전류
② : pinch off 또는 게이트 - 소오스 OFF 전압
③ : 드레인 - 소오스가 단락시 게이트 - 소오스의 breakdown
④ : 소자의 상호 콘덕턴스
⑤ : 소자가 ON 상태일 때 드레인 - 소오스 저항
(2) MOSFET의 구조 및 특성
MOSFET는 채널로부터 절연된 게이트를 갖도록 제도된 소자로서 공핍형 구조(depletion mode) 와 증가형 구조 (enhancement mode)로 구별 되는데, 공핍형에서 채널은 실제로 제조되어 있고, 드레인과 소오스 간의 전류는 양단에 걸린 저압에 의하여 흐르게 되지만, 증가형에서는 이 소자가 제도될 때 채널이 형성되어 있지 않기 때문에 캐리어의 통로를 형성시키기 위해서는 게이트에 전압을 가하여야만 한다.
n채널 위에는 절연층인 층이 있다. 그림 29-4(a)의 n채널소자에 대해서는 (-)의 게이트 - 소오스은 채널을 고갈시키기 위해서 전자를 패널영역으로부터 밀어내며, 충분히 큰 (-) 게이트 - 소오스 전압은 이 채널을 pinch-off시키게 된다. 반면에 (+) 게이트 - 소오스 전압은 채널의 크기를 증가시켜 더 많은 전하 캐리어를 나타내어 결과적으로 더 큰 채널 전류를 흐르게 한다. n 채널 공핍형 MOSFET 소자 특성이 그림 29-4(c)에 나타나 있다. 이 소자는 (+) 나 (-) 게이트 - 소오스 전압으로 동작될 수 있음을 볼 수 있다.
의 (-) 전압은 pinch-off 전압이 될 때 까지는 드레인 전류를 감소시키며, pinch-off 전압 이하에서는 드레인 전류를 차단 시킨다. 게이트는 의 (-) 와 (+) 값에 대해 채널로부터 격리되어 있으므로 게이트 전류는 흐리지 않는다.
증가형 MOSFET는 드레인과 소오스 사이에 채널이 없다. 게이트 - 소오스 간에 (+) 전압을 인가하면, 게이트 아래의 기판 영역 내에서 정공을 몰아내고 채널 표면 근터에 전가를 유기시킨다. (-)의 표면 전하는 주로 n형 소오스와 드레인으로부터 얻는 전자이며, 반정층(inversion later)을 형성한다. 이 반전층이 채널로 작용하게 되고, 가 임계값 를 넘어서 증가함에

키워드

FET실험,   실험보고서,   전기전자실험,   JFET,   MOSFET,   드레인 특성,   소스전압,   전달곡선