목차
1. 사전지식
1) 다이오드 전류
2) 다이오드
2. 실험절차
1) 점화 전위
2) DC저항
3) 역방향 바이어스
4) 순방향 바이어스 다이오드 특성
5) 다이오드 테스트
3. 분석 및 토의
1) 다이오드 전류
2) 다이오드
2. 실험절차
1) 점화 전위
2) DC저항
3) 역방향 바이어스
4) 순방향 바이어스 다이오드 특성
5) 다이오드 테스트
3. 분석 및 토의
본문내용
1) 다이오드 테스트
2) 순방향 바이어스 다이오드 특성
a.직류전원 공급기를 0V에 맞추고 그림 2-4의 회로를 구성하라. 저항기의 측정된 저한 값을 기록하라.
Rmeas = 0.991kΩ V_R 이 0.1V가 될 때까지 전압 공급기의 전압을 증가시켜라. 그때 V_D를 측정해서 표 2.3에 기입하라. 표 2.3에 나타난 식을 사용하여 I_D 를 계산하라.
b. 전압 V_R 을 측정하라. Is = V_R / (R_mean || R_m ) 으로부터 역포화 전류를 계산하라. DMM의 내부저항(R_m )을 저항 R이 크기 때문에 결정되어야 한다. 전형적인 10MΩ 을 사용해도 무방하다.
c. 아래의 식을 사용하여 Si의 DC 저항치를 계산하라.
4) DC저항
5) 점화 전위
2) 순방향 바이어스 다이오드 특성
a.직류전원 공급기를 0V에 맞추고 그림 2-4의 회로를 구성하라. 저항기의 측정된 저한 값을 기록하라.
Rmeas = 0.991kΩ V_R 이 0.1V가 될 때까지 전압 공급기의 전압을 증가시켜라. 그때 V_D를 측정해서 표 2.3에 기입하라. 표 2.3에 나타난 식을 사용하여 I_D 를 계산하라.
b. 전압 V_R 을 측정하라. Is = V_R / (R_mean || R_m ) 으로부터 역포화 전류를 계산하라. DMM의 내부저항(R_m )을 저항 R이 크기 때문에 결정되어야 한다. 전형적인 10MΩ 을 사용해도 무방하다.
c. 아래의 식을 사용하여 Si의 DC 저항치를 계산하라.
4) DC저항
5) 점화 전위
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