나노소재를 이용한 유기박막 트랜지스터(OTFT)
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소개글

나노소재를 이용한 유기박막 트랜지스터(OTFT)에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 서 론

2. 본 론
2-1.이론적 배경
2-2.전도성 유기물의 전도원리
2-3.전도도의 온도 의존성
2-4.OTFT의 구조와 동작원리
2-5.OTFT의 제작 공정
2-5-1.유기반도체 박막성막공정
2-5-2.유기게이트 절연박막 성막 공정
2-5-3.금속전극 공정
2-5-4.유기박막 형상화 공정

2-6.유기절연체의 특성
2-6-1.유전율
2-6-2.내열성
2-6-3. 계면특성의 최적화
2-6-4.고평탄화
2-6-5.고른평면형상
2-6-6.계면특성의 최적화
2-6-7.절연파괴강도
2-7.기능성 소재기반
2-7-1. 나노복합절연체 박막소재
2-7-2.박막화 기술
2-8.나노복합 절연체 제작 공정 및 유기물 절연체 형성
2-8-1. pentacene 반도체 층 증착
2-8-2. Al source-drain 전극 증착
2-8-3. 표면처리
2-8-4.전기 도금된 Ni의 표면조도
2-8-5.나노입자에 따른mobility 및Current on/off ratio 변화

3. 결 론

4. 참고문헌

본문내용

여 저 부가가지치의 범용 재료로 개발되어 구조 재료나 전선 피복제 등에 주로 응용되었다, 하지만 유기고분자 물질의 개발이 가속화되면서 과거에는 금속이나 무기 물질들에서나 찾을 수 있었던 전기, 전자 및 광자 특성을 가지는 유기 고분자 물질이 합성되기 시작하였다. 일반적으로 유기 고분자는 가볍고 유연하며 인상이 있고 성형성이 우수한 반면에, 실리카겔과 같은 무기 세라믹은 내열성, 탄성, 표면 강도, 투명성 등이 우수하기 때문에 이들을 조합하여 새로운 재료를 창출하려는 노력이 계속 이어지고 있다, 국내의 경우 대학, 연구소, 기업에서 조금씩 유/무기 복합재료에 대한 연구를 수행하고 있다. 또한 유기반도체를 응용한 유기박막 트랜지스터는 기존의 실리콘 트랜지스터로서 실현할 수 없는 새로운 응용분야를 창출할 것으로 기대되어 지며 차세대 디스플레이용 유기박막 트랜지스터 소자의 유기 반도체를 나노 수준으로 미세구조 및 분자배향을 제어하고 계면간의 특성을 체계적으로 분석하기 위해서는, 각각의 engineerd interface에서 계면 특성 및 요구되는 기능성에 적합한 자기조립유기박막을 제조하는 기술의 매우 중요하였다.
coupling agent(CA)를 Al₂O₃나노입자에 표면 처리 하여 coupling agent가 처리된 경우와 처리되지 않은 경우를 비교해보면 확연하게 소자특성에서 차이 그림을 통해 확인해볼 수 있다. FT-IR, AFM 그리고 FE-SEM을 통해 나노입자의 분산 정도를 알 수 있다. 뭉쳐있는 경우 소자 특성을 저해할 수 있는 요소로 예측할 수 있다. 반면 coupling agent로 표면처리가 잘되어있는 Al₂O₃나노 입자를 이용하면 많은 장점을 가 질수 있다. 또한 높은 유전상수를 가지는 무기물 Al₂O₃나노 입자를 유기물 PVP에 첨가할 경우 두 가지의 유전체가 가지는 장점을 활용할 수 있다. C-V와 I-V를 이용하여 기존의 pure PVP가 가지는 특성보다 우수하다. Al₂O₃-PVP 나노복합 절연체층은 Pure PVP 절연체층에 비해서 전기적으로 낮은 누설전류 밀도, high current on/off ration ration value, low voltage hysteresis 변화 등 전기적으로 안정적인 특성을 나타낸다.
4. 참고 문헌
[1] F. Ebisawa, T. Kurosawa, S. Nara, J. Appl Phys 54 (1983) 3255
그림1. 전자 통신동향 분석 제 20권 제5호 2005년 10월호
[2] W. Clemens, W. Fix, J. Ficker, A. Knobloch, A. Ullmann. J. Mater. Res.19 (2004) 1963.
[3] Web of Knolwedge에서 conjugated polymer* detection으로 검색
[4] Antoine Kahn, Norbert Koch, and Weiying Gao, Polymer Science,Polymer Physics 41, 2529 (2003).
[5] Wang, J., Sun, X., Chen, L. & Chou, S. Y, Adv. Mater. 15, 1254(2003).
[6] Stutzmann, N., Tervoort, T. A., Bastiaansen, K. & Smith, Nature407, 613 (2000).
[7] Zaumseil, J. et al., Appl. Phys. Lett. 82, 793 (2003).
[8] J. H. Burroughes, C. A. Jones and R. H. Friend, Nature 335,137 (1998).
[9], 그림 7. 전자 재료 및 소자공학 (2005)
Principles of electronic materials and devices. 3rd ed. Boston : McGraw-Hill,
[10] R. Schoreder, L. A. Majeswski, and M. Grell, Appl. Phys. Lett.83, 3201 (2003)
[11] C. K. Song, M. K. Jung, B. W. Koo, J. Korean Phy. Soc. 39,S271 (2001).
[12] M. Baldo Deutsch, P Burrows, H. Gossenberger, M. Gerstenberg,V. Ban, S. Forrest, Adv. Mater. 10(18) (1998)
[13] 물리학과 첨단기술 July/August
그림 13. a) MOSFET의 구조, b) TFT의 구조.
그림 14. 증착온도에 대한 펜타센 박막 입계의 크기 및 이동도 관계 그래프
[14] F. C. Krebsa, J. Alstrupa, H. Spanggaarda, K. Larsenb, E. Koldb,Solar Energy Materials & Solar Cells 83, 293 (2004).
[15] M. Stein, P. Peumans, J. B. Benziger, S. Forrest, Adv. Mater.16(18) (2004).
[16] M. Halik, H. Klauk, U. Zschieschang, G. Schmid, C. Dehm, M.Schutz, S. Maisch, F. Effenberger, M. Brunnbauer, F. Stellacci,Nature 431, 963 (2004).
[17] F. Ebsiawa, T. Kurosawa, S. Nara, J. Appl Phys 54 (1983)
[18] https://u-lib.nanet.go.kr/dl/SimpleView.php
[19] P. F. Baude, D. A. Ender. M. A. Haase, T. W. Kelley, D. V. Muyres, S,D
Thesis, Appl. Phys. (2003)
[20] W. Clemens, W. Fix , J. Ficker, A. Knobloch, A. Ullmann, J. Mater. Res19
(2004)
[21]전자 통신동향 분석 제 20권 제5호 2005년 10월호
[22] New & Information for chemical engineers Vol. 26. No3 2008.
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  • 등록일2009.12.14
  • 저작시기2009.10
  • 파일형식한글(hwp)
  • 자료번호#567025
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