본문내용
2. 실험준비물 :
함수발생기 1개 (혹은 2개) : 동시에 2개의 함수 발생 필요
Oscilloscope 1개
DC Power Supply 1개 (동시에 2개의 전압 출력 필요)
N-channel enhancement MOSFET : 2N700 TO-92 (Fairchild) 4개
DMM : 1개
저항 : 가변저항 1MΩ 2개, 100kΩ 2개, 10 kΩ 2개
3. 설계실습 계획서
3.1 Current-Steeing 회로 설계
3.1.1 V_DD=V_CC=10V일 때, 출력 전압 ( I )가 1mA가 되도록 <그림 10.1>과 같은 전류원을 설계하라. 이 때 MOSFET M_1, M_2로는 2N7000을 사용한다.
함수발생기 1개 (혹은 2개) : 동시에 2개의 함수 발생 필요
Oscilloscope 1개
DC Power Supply 1개 (동시에 2개의 전압 출력 필요)
N-channel enhancement MOSFET : 2N700 TO-92 (Fairchild) 4개
DMM : 1개
저항 : 가변저항 1MΩ 2개, 100kΩ 2개, 10 kΩ 2개
3. 설계실습 계획서
3.1 Current-Steeing 회로 설계
3.1.1 V_DD=V_CC=10V일 때, 출력 전압 ( I )가 1mA가 되도록 <그림 10.1>과 같은 전류원을 설계하라. 이 때 MOSFET M_1, M_2로는 2N7000을 사용한다.
추천자료
[전자회로] OP-AMP의 offset조정
[전자회로실험] 오실로스코프와 Function Generator 실험
전자회로보고서
전자회로실험 - 실험9 에미터 공통 증폭기의 특성(예비 및 결과레포트)
전자회로
전기전자기초실습_선로회로
전자회로실험 교안
전자회로실험 - CE 구성의 특성곡선 및 측정
[전자회로 실험] 01.실험 기초 이론
[전자회로 실험] 07.TR AC Bias
[전자회로 실험] 04.Brigde Diode,Zener Diode
[전자회로 실험] 08.H-Bridge, Peltier
[전자회로 실험] 정류기 설계(Regulator 설계)
[전자회로 기초 실험] 중첩의 원리 : 중첩의 원리를 실험적으로 확인한다.
소개글