본문내용
R-C직렬 회로
비저항성 회로소자인 커패시터에 대한 기본성질을 이해하고, RC회로를 통해서 커패시턴스를 측정해 본다.
일반적으로 커패시터는 두 개의 대전체 사이에 형성되는 전장 속에 에너지를 저장한다. 이 소자는 저항과 달리 동적 특성을 보이며, 커패시턴스를 전류와 전압에 관한 관계식으로 표현하면 다음과 같다.
커패시터에 의하여 저장되는 전하 Q는
Q=CV
이다. 여기서 C는 커패시턴스이고 V는 커패서터 양단에 걸리는 전압이다. 그러므로 소자는 양 도체판을 절연체로 분리한 형태이며 콘덴서라고 부른다.
커패시턴스는 콘덴서가 가질 수 있는 전하의 용량을 나타내는 것이며, 다른 말로는 저장용량이라고 할 수 있다. 결국 1쿨롱의 전하가 1볼트 전위차의 판사이에 존재할 때, 1farad의 용량을 가졌다고 할 수 있다.
여기서 Farad라는 단위는 19세기 영국의 화학자이며 물리학자인 Michael Farad로부터 따온 것이다. 그러나, Farad는 대부분의 용량에 있어서 너무 큰 단위 이므로 일반적으로 microfarad나 picofarad를 사용하고 있다.
만일, 직렬로 접속된 합성 커패시턴스 는
으로 나타낸다.
예를 들어, , 두 개의 커패시터를 직렬과 병렬로 연결했을 경우의 합성 커패서턴스를 라 한다면, 직렬합성인 경우에는
이므로 합성 커패시
비저항성 회로소자인 커패시터에 대한 기본성질을 이해하고, RC회로를 통해서 커패시턴스를 측정해 본다.
일반적으로 커패시터는 두 개의 대전체 사이에 형성되는 전장 속에 에너지를 저장한다. 이 소자는 저항과 달리 동적 특성을 보이며, 커패시턴스를 전류와 전압에 관한 관계식으로 표현하면 다음과 같다.
커패시터에 의하여 저장되는 전하 Q는
Q=CV
이다. 여기서 C는 커패시턴스이고 V는 커패서터 양단에 걸리는 전압이다. 그러므로 소자는 양 도체판을 절연체로 분리한 형태이며 콘덴서라고 부른다.
커패시턴스는 콘덴서가 가질 수 있는 전하의 용량을 나타내는 것이며, 다른 말로는 저장용량이라고 할 수 있다. 결국 1쿨롱의 전하가 1볼트 전위차의 판사이에 존재할 때, 1farad의 용량을 가졌다고 할 수 있다.
여기서 Farad라는 단위는 19세기 영국의 화학자이며 물리학자인 Michael Farad로부터 따온 것이다. 그러나, Farad는 대부분의 용량에 있어서 너무 큰 단위 이므로 일반적으로 microfarad나 picofarad를 사용하고 있다.
만일, 직렬로 접속된 합성 커패시턴스 는
으로 나타낸다.
예를 들어, , 두 개의 커패시터를 직렬과 병렬로 연결했을 경우의 합성 커패서턴스를 라 한다면, 직렬합성인 경우에는
이므로 합성 커패시
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