목차
① 회로 해석에서의 중첩 정리의 이용
② 중첩 정리의 실험적 입증
③ 중첩 정리를 이용한 회로 해석
④ 회로 해석에서의 테브닌 정리의 이용
⑤ 테브닌 정리의 실험적 입증
⑥ 테브닌 정리를 이용한 회로 해석
⑦ 회로 해석에서의 노튼 정리의 이용
⑧ 노튼 정리의 실험적 입증
⑨ 노튼 정리를 이용한 회로 해석
② 중첩 정리의 실험적 입증
③ 중첩 정리를 이용한 회로 해석
④ 회로 해석에서의 테브닌 정리의 이용
⑤ 테브닌 정리의 실험적 입증
⑥ 테브닌 정리를 이용한 회로 해석
⑦ 회로 해석에서의 노튼 정리의 이용
⑧ 노튼 정리의 실험적 입증
⑨ 노튼 정리를 이용한 회로 해석
본문내용
의 방향은 현재 중요한 고려 사항이 아니므로, 앞으로의 해석에서 부호는 무시하도록 한다.
실험에서 측정된 IN의 값은 15.32V이다. 이론값과 측정값이 근접함을 알 수 있다.
다음으로 RN을 구하면 다음과 같다. 저항 RL의 가지를 개방 상태로 가정하면
RN = (680 × 2700) / (680 + 2700) = 543.195266… ≒ 543.20Ω
실험에서 측정된 RN의 값은 538.1Ω이다. 역시 이론값과 측정값이 근접함을 알 수 있다.
본래의 회로망을 노튼 등가회로로 대체했을 때 부하를 통하여 흐르는 전류 IL은 다음과 같은 식을 통해 구할 수 있다.
IL = IN × (RN / (RN + RL))
따라서 위 회로에서 IL = 15.42 × (543.20 / (543.20 + 1200)) = 4.805039…mA ≒ 4.805mA
실험에서 측정된 값은 기존 회로의 경우 IL = 4.862mA, 노튼 등가 회로의 경우 IL = 4.886mA 로
이론값과 측정값이 근접함을 알 수 있다.
계산된 결과값과 측정값이 근사하므로, 노튼 정리를 실험적으로 입증하였다.
RL값을 다르게 한 다른 3번의 실험의 계산 과정은 모두 동일하므로, 생략하도록 하겠다.
실험에서 측정된 IN의 값은 15.32V이다. 이론값과 측정값이 근접함을 알 수 있다.
다음으로 RN을 구하면 다음과 같다. 저항 RL의 가지를 개방 상태로 가정하면
RN = (680 × 2700) / (680 + 2700) = 543.195266… ≒ 543.20Ω
실험에서 측정된 RN의 값은 538.1Ω이다. 역시 이론값과 측정값이 근접함을 알 수 있다.
본래의 회로망을 노튼 등가회로로 대체했을 때 부하를 통하여 흐르는 전류 IL은 다음과 같은 식을 통해 구할 수 있다.
IL = IN × (RN / (RN + RL))
따라서 위 회로에서 IL = 15.42 × (543.20 / (543.20 + 1200)) = 4.805039…mA ≒ 4.805mA
실험에서 측정된 값은 기존 회로의 경우 IL = 4.862mA, 노튼 등가 회로의 경우 IL = 4.886mA 로
이론값과 측정값이 근접함을 알 수 있다.
계산된 결과값과 측정값이 근사하므로, 노튼 정리를 실험적으로 입증하였다.
RL값을 다르게 한 다른 3번의 실험의 계산 과정은 모두 동일하므로, 생략하도록 하겠다.
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