실험 9. BJT의 단자 특성과 바이어싱
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목차

1.실험목적
2.예비지식
3.준비
4.실험 준비물
5.실험과정
6.PSPICE 실험결과
7.예비점검

본문내용

실험 9. BJT의 단자 특성과 바이어싱


과목 : 기초전기회로실험




실험목적

1.활성 모드에서 동작하는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다.

2.BJT를 활성 모드에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱 회로를 실험을 통해 이해한다.




예 비 지 식

트랜지스터는 세 개의 반도체영역, 즉 emitter영역, base영역, collector영역으로 구성되며 이와 같은 트랜지스터를 우리는 npn형과 pnp형이라 부른다.

◈ npn형

오른쪽은 npn형 트랜지스터의 간략화된 구조이다.
그림을 보면 트랜지스터는 두 개의 pn접합, 즉 이미터-베이스 접합(EBJ)과 컬렉터-베이스 접합(CBJ)으로 구성된다는 것을 알 수 있다.

 ≪ 그 림 ≫




예 비 지 식

◈ pnp 형

오른쪽은 pnp형 트랜지스터의 간략화된 구조이다. npn형 구조와 같은 이미터-베이스접합과 컬렉터-베이스접합으로 구성된다는 것을 알 수 있다.

 ≪ 그 림 ≫
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  • 페이지수25페이지
  • 등록일2012.09.25
  • 저작시기2009.3
  • 파일형식파워포인트(ppt)
  • 자료번호#757274
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