[전기전자실험] FET의 실험

소개글

[전기전자실험] FET의 실험에 대한 보고서 자료입니다.

본문내용

=Off
이때 C1의 아래쪽 단자가 Vcc가 되는 대 C1의 위쪽단자가 아래쪽 단자보다 Vcc만큼 높았기 때문에 C1의 위쪽단자는 아래쪽 단자 Vcc보다 Vcc 높은 2Vcc까지 끌려올라가게 된다. 이때 D1은 Off되고 Vo=2Vcc가 된다. 따라서 Q1이 Off인 경우 Vo=Vcc가 되고 Q2가 Off인 경우 Vo=2Vcc가 된다.
3) Q1, Q2, D1, D2에 최대로 인가되는 전압은? (기생성분에 의한 전압 spike 무시)
☞
모두 최대 Vcc가 인가된다. C1의 경우 Vcc, C2의 경우 2Vcc가 최대로 인가됨을 알 수 있다.
4) 위 회로의 동작을 자세히 설명하시오. Q1의 source와 Q2의 Drain이 연결된 부분의 전압과 D1과 D2가 연결된 전압 등을 그리고 Q1, Q2, D1, D2 등의 동작을 포함할 것.
☞
Q1=Off/Q2=On라 하면 아래 회로와 같이 나타 낼 수 있다.
그림11. Q1=Off/Q2=On
이때 D1과 D2는 On이 되며 C1과 C2는 위쪽단자가 + 아래쪽 단자가 -로 Vcc씩 충전된다. 이후에 Q1=On/Q2=Off라 하면 아래 회로와 같이 나타 낼 수 있다.
그림12. Q1=On/Q2=Off
이때 C1의 아래쪽 단자가 Vcc가 되는 대 C1의 위쪽단자가 아래쪽 단자보다 Vcc만큼 높았기 때문에 C1의 위쪽단자는 아래쪽 단자 Vcc보다 Vcc 높은 2Vcc까지 끌려올라가게 된다. 이때 D1은 Off되고 D2는 On이 되어 C2는 2Vcc까지 충전되므로 Vo=2Vcc가 된다. 여기서 다시 Q1=Off/ Q2=On이 되면 D1=On/D2=Off 상태에서 RL에 의해 C2가 Vcc까지 방전되게 된다. C2의 용량과 RL의 크기에 따라서 방전되는 속도는 차이를 가질 수 있다.
Ⅳ. 잘한 점과 부족한 점
A. 잘한 점
FET의 동작 모습이 BJT와 유사하기 때문에 어렵지 않게 실험을 통하여 이해할 수 있었으며, 다이오드와 캐패시터에 이해가 잘 되어있어서 Bonus Quiz의 회로에 대한 동작 이해를 잘 할 수 있었다.
B. 부족한 점
실험에서 잘 사용하지 않았던 BJT pnp형의 이해가 부족하여 Bonus Quiz 회로 해석에 어려움이 있었다. 또한 FET의 동작영역에서 BJT 동작 영역의 이름에 따른 동작 형태가 바뀐 부분을 숙지하기 못해 보고서를 작성할 때 혼돈이 있었다.
Ⅴ. 결론
이번 실험을 통해 FET의 동작원리와 그에 따라 회로에 어떻게 영향을 미치는지 이해했다. FET에는 n-channel, p-channel 두 가지 type이 존재하며 terminal의 이름은 각각 Gate, Source, Drain이고 Gate 전압으로 상태가 결정되는 전압 구동 방식을 이용한다는 사실을 알게 되었다. 동작 상태로는 Triode (Ohmic), Cutoff, Saturation 이 있으며 Cutoff/Triode mode에서는 스위치로서의 역할을, Saturation mode에서는 주로 증폭기의 역할을 한다는 점도 새로이 알게 되었다.
또한 Gate 전압을 충분히 인가하면 Triode 영역에서 동작하며 보통의 경우에 Vgs의 최대 허용 전압은 +20V/-20V 이고 따라서, Switching Application에서는 15~17V 정도를 사용하며 Rds(on)은 Vgs가 클수록 작아지므로 Vgs를 충분히 크게 해서 Rds(on)을 최소로 사용한다는 점도 알게 되었다.
References
[1]http://blog.naver.com/wooseung83?Redirect=Log&logNo=70030249605
[2]http://kin.naver.com/qna/detail.nhn?d1id=11&dirId=1118&docId=116445592&qb=TU9TRkVUIOyepeygkA==&enc=utf8§ion=kin&rank=15&search_sort=0&spq=0&sp=2&pid=gL7MXg331xGssbj0asZssv--066007&sid=TNLJaVd30kwAAAMQRM8
[3]http://kin.naver.com/qna/detail.nhn?d1id=11&dirId=1118&docId=64032656&qb=TU9TRkVUIOuGkuydgCDso7ztjIzsiJg=&enc=utf8§ion=kin&rank=3&search_sort=0&spq=0&pid=gL7dOg331xlssZDiZRKssv--079926&sid=TNLJaVd30kwAAAMQRM8
[4]http://ko.wikipedia.org/wiki/FET

키워드

전기전자실험,   FET,   실험