전자회로 실험 에미터 공통 증폭기회로 특성

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전자회로 실험 에미터 공통 증폭기회로 특성에 대한 보고서 자료입니다.

본문내용

다. 다음으로는 베이스 전류가 30uA가 되도록 조절을 하였는데 이것은 2050, 2950옴이 되었다. 마지막으로 40uA이 될 때의 저항은 1832, 3168옴이었다. 다음의 표를 통하여 를 구할 수 있다.
(uA)
(mA)
(uA)
(mA)
30
4.808
10
1.65
40
6.458
2) 에미터 공통 증폭기 바이어스 및 전압이득
DC분석을 위한 회로
분석 : 우선 DC분석을 위해 회로를 구성하였다. 부하저항을 전압측정을 위하여 매우큰 값을 걸어 주었다.
, ,
,
①원래 회로일때
소신호를 가해준 회로
베이스전압측정
분석 :
콜렉터 전압측정
에미터 전압측정
파형발생기에서 20mV가 최소였던 것을 보았고 그것을 입력소신호로 가해주었다. 그리고 베이스, 콜렉터, 에미터 각각의 파형을 측정하였다. 베이스에서 가해준 파형이 콜렉터, 에미터에서 반대로 측정이되었다. 그리고 증폭된 것을 확인할 수 있다.
②를 제거한 경우
소신호를 가해준 회로
베이스전압측정
분석 :
콜렉터 전압측정
에미터 전압측정
를 제거한 회로를 구성하고 소신호를 가해주었는데 전압이득이 줄어든 것을 확인할 수 있었다.
3) 에미터 공빔 증폭기 임피던스, 전력 및 위상관계
회로 구성도
출력전압
분석 :
입력신호
의 파형
우선 정현파가 나오는 최대값인 60mV를 측정하였고 여기서 70%인 42mV를 나타나게 하였다. 이것을 통하여 시뮬레이션을 시행하였다. 캐퍼시터에 의해 충전된 파형이 출력되었는데 이것을 통하여 180도 만큼 위상차이가 나는 파형을 볼 수 있었다. 이것은 앞에서 살펴본 의 식을 통하여 확인 한 것과 같은 결과이다.

키워드

전자공학실험,   에미터 공통 증폭기회로 특성,   입력 임피던스