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로 나타낼 수 있다.
HCP 단위격자에서 원자가 밑면의 면대각선을 가로질러 서로 접촉하고 있으므로, 이것을 이용하여 격자상수 a와 원자반지름 R과의 관계는
⇒
육각기둥의 높이 c는
a와 c를 이용하여 육각기둥의 부피를 구하는 공식으로 단위격자의 부피를 구한다.
따라서 HCP 단위격자의 원자 충전율 APF는
∴ HCP의 APF = 74%
[3] 결론
결정(Crystal)은 원자의 배열이 공간적으로 반복된 패턴을 가지는 것이다.
결정(Crystal)은 단위격자(Unit Cell)의 형태와 원자의 배열에 따라 7가지의 결정계(Crystal System)로 표현되며 여기에 격자의 기본 형태를 더해 14가지의 Bravais 격자(Bravais Lattice)로 분류된다.
원자충전율(APF)은 단위격자(Unit Cell)에 원자가 채워져 있는 비율을 말하며 BCC의 APF는 0.68, FCC와 HCP의 APF는 0.74이다. 이는 모든 결정 중에 가장 높은 값의 충전율이고, 따라서 가장 안정된 에너지상태이므로 가장 많이 존재하는 결정의 형태이다.
HCP에서 장축을 단축으로 나눈 이상적인 축비는 1.633이나 많은 HCP금속들이 이 비율에서 벗어나 있다.
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로 나타낼 수 있다.
HCP 단위격자에서 원자가 밑면의 면대각선을 가로질러 서로 접촉하고 있으므로, 이것을 이용하여 격자상수 a와 원자반지름 R과의 관계는
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육각기둥의 높이 c는
a와 c를 이용하여 육각기둥의 부피를 구하는 공식으로 단위격자의 부피를 구한다.
따라서 HCP 단위격자의 원자 충전율 APF는
∴ HCP의 APF = 74%
[3] 결론
결정(Crystal)은 원자의 배열이 공간적으로 반복된 패턴을 가지는 것이다.
결정(Crystal)은 단위격자(Unit Cell)의 형태와 원자의 배열에 따라 7가지의 결정계(Crystal System)로 표현되며 여기에 격자의 기본 형태를 더해 14가지의 Bravais 격자(Bravais Lattice)로 분류된다.
원자충전율(APF)은 단위격자(Unit Cell)에 원자가 채워져 있는 비율을 말하며 BCC의 APF는 0.68, FCC와 HCP의 APF는 0.74이다. 이는 모든 결정 중에 가장 높은 값의 충전율이고, 따라서 가장 안정된 에너지상태이므로 가장 많이 존재하는 결정의 형태이다.
HCP에서 장축을 단축으로 나눈 이상적인 축비는 1.633이나 많은 HCP금속들이 이 비율에서 벗어나 있다.
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