반도체공정 실험 - Dry etching

소개글

반도체공정 실험 - Dry etching에 대한 보고서 자료입니다.

목차

1. 실험 목적

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

본문내용

1. 실험 목적
2. 실험 방법
1) Cleaning, Oxidation, Photolithography 공정을 마친 wafer 시료를 준비한다.
2) 시료의 표면을 FESEM으로 찍은 후 표면의 감광제 모형인 마스크 패턴을 확인한다.
(식각 전 패턴 사이즈 측정)
3) ICP 장비의 반응 Chamber에 시료를 넣는다.
4) Chamber를 대기압 보다 낮은 진공(10 Torr 이하)으로 만든다.
5) Chamber에 Oxygen gas를 주입한다.
6) Chamber에 Plasma gas로 C F gas(화학적 반응 야기)와
Ar gas(물리적 반응 야기)를 주입한다.
7) 전원장치를 이용하여 300W의 전원을 공급한다.
8) 3가지 시료에 각각 3분, 5분, 7분 씩 에칭하는 과정을 반복한다.

플라즈마 에칭은 기본적으로 입자를 가속시켜 실리콘 웨이퍼를 뜯어내는 방식이다. 그리고 이방성으로 에칭이 가능하기 때문에 etch time을 길게 할수록 깊게 파일거라는 예상을 했다. FE-SEM으로 찍은 이미지를 보면 왼쪽 편의 사진이 예상대로 7분일 때 가장 깊은 것으로 나타났다. 처음 예상과 비슷한 결과값이 나왔다.
Etch rate는 SiO2의 두께 변화로 구하는 것이고 공식은 다음과 같다.

키워드

반도체공정 실험,   Dry etcher,   FE-SEM,   ICP,   Si wafer ,   반도체 공정 실험