Lithography

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Lithography에 대한 보고서 자료입니다.

본문내용

lator와 Correction Tool 개발, (3)실리콘기판 위에서 0.15mm Critical Dimension의 pattern 형성에 대한 연구를 수행하였다
3. EUV (Extreme Ultraviolet) lithography
X-ray, ion-beam projection, electron-beam projection lithography와 더불어 차세대 노광 기술의 하나로 EUV lithography (X선 축소 투영 노광)는 해상도와 초점 심도가 뛰어나 optical lithography의 뒤를 이을 노광 기술로 새롭게 급부상하고 있다.
Why EUV lithography?
0.5 um 이상의 DOF(Depth Of Focus,초점심도)에서 100nm 이하의 해상도로 노광이 가능하다.
EUV Technology


k1 factor와 DOF(초점심도)의 관계
CD range :350nm ~ 100nm
( John E. Bjorkholm, Intel technology Journal )
4-mirror camera의 schematic diagram
( John E. Bjorkholm, Intel technology Journal )
Two-aspherical-mirror system의 예
( Tsuneyuki Haga and Hiroo Kinoshita, J.Vac.Sci.Technol.B 2914,1995 )
구성 : SR source, illumination optics, carbon filter, reflection mask, demagnifying optics, wafer
Numerical aperture (NA) : 0.1 , magnification : 1/5
○ X선 리소그래피(X-ray Lithography)
집적회로를 만들 때 중요한 부분에 사진기술이 사용된다.
실리콘칩 표면에 만들고자 하는 부품의 패턴을 빛으로 촬영하고 그것이 감광된 수지를 칩 표면에 고정한 후 화학처리나 확산처리를 하는데, 이를 총칭해 리소그래피(lithography)라 한다.
따라서 얼마만큼 미세한 패턴을 만드는가가 이 기술의 키포인트인데, 짧은 파장의 빛을 사용하면 정밀도가 높은 패턴을 만들 수 있다.
처음에는 눈에 보이는 파장의 빛(가시광선)을 사용하는 정도였으나, 곧이어 자외선을 사용하게 됐고, 최근에는 필요에 따라 전자빔을 사용해 1μ 이하의 미세한 패턴을 만든다.
이것을 서브미크론 기술이라 한다.
그 다음에 기대되는 것이 더욱 파장이 짧은 X선이다.
이를 위해 강한 X선을 만들어내는 장치가 개발됐다.
전자를 원둘레를 따라서 뱅글뱅글 돌리다가 갑자기 전자에 브레이크를 걸면 강한 X선이 방출되는 이 장치는 원래 싱크로트론(synchrotron)으로 불리는데, 그 궤도(orbit)를 따라 도는 전자에서 방사(radiation)되기 때문에 SOR로 약칭된다.
세계 각국에서 엄청나게 돈이 많이 드는 이 장치의 건설과 기술개발에 힘을 쏟는 이유는 장래에 국방 등에 쓰이는 대규모초집적회로 또는 지능기계의 기초가 되기 때문이다.

키워드

Lithography,   나노기술과 정보저장,   기술 개요