기초 회로 실험 - ttl cmos

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기초 회로 실험 - ttl cmos에 대한 보고서 자료입니다.

본문내용

낮을 수 있으므로 실험에서 pull-up 저항 15 가 사용되었다.
CMOS는 상보성 금속 산화 반도체로서 이런 P와 N의 성격을 동시에 존재하게 만든다. 따라서 전류보다는 전압에 영향을 받게 되는데 저전위 상태에서 고전위 상태로의 변화할 때 또는 고전위에서 저전위로 변할 때 신호가 떨리는 현상이 나타난다. 이 현상을 제거하기 위해 BUFFER가 사용된다.
즉, CMOS는 TTL에 비해 동적 안전성이 부족하는 것을 알 수 있다.
회로에서 입력 측이 고전위 전원을 사용하는 소자가 TTL레벨의 회로에 신호가 유입시에 회로가 오동작 하거나 손상이 될 수가 있으며 그라운드의 공용으로 인해 노이즈가 TTL Logic에 전달이 되어서 시스템의 안정성을 떨어뜨린다. 즉 인터페이스를 하면 단가상승의 요인이 되지만 시스템의 안정성을 도모할 수가 있다. 일종의 노이즈 방지책이라 할 수 있다.
위의 실험에 사용한 회로를 보면 = 5V 주파수가 10KHz의 구형파가 TTL소자인 7406에 입력된다. TTL은 BJT방식으로 동작하고 또 출력 전압의 HIGH가 CMOS의 입력 HIGH보다 낮은 경우가 발생하므로 이 부분을 보상하기 위해 PULL UP 저항 15㏀이 사용되었다. 4001핀 1번에 다소 낮은 전압이 걸릴 경우도 있기 때문에 실험 값에 주의할 필요가 있다.
CMOS는 MOSFET방식이다. 즉 반도체에 적당한 불순물을 첨가하여 원하는 성질의 반도체인 P-MOS와 N-MOS를 만들어 낸다. P는 정공을 뜻하고 N은 전자를 뜻한다. P형의 반도체는 전자의 수보다 훨씬 많은 정공을 가지고 가 0보다 작을 때 도통하며, N형은 상대적으로 전자의 수가 아주 많이 존재한다. 가 0보다 클 때 도통한다. CMOS는 상보성 금속 산화 반도체로서 이런 P와 N의 성격을 동시에 존재하게 만든다. 따라서 전위차 즉 의 차를 사용하여 동작한다. 따라서 전류보다는 전압에 영향을 받게 되는데 저전위 상태에서 고전위 상태로의 변화할 때 또는 그 반대의 경우에서 신호가 떨리는 현상이 나타난다. 이 현상을 제거하기 위해 BUFFER가 사용된다. 이전에도 TTL의 경우에서도 BUFFER의 사용이유를 실험한 적이 있는데 BUFFER는 일반적으로 신호의 증폭이나 BOUNCE 현상을 제거하기 위해 쓰인다. 따라서 위 회로에 쓰인 CMOS BUFFER또한 같은 이유이다. CMOS는 TTL에 비해 동적 안전성이 부족하다. 이 점을 보완하기 위한 것이다.

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