반도체半導體다이오드의특성

소개글

반도체半導體다이오드의특성에 대한 보고서 자료입니다.

목차

-실험제목
-실험목적
-배경이론

본문내용

의 영역을 공핍층이라 한다.
순방향 다이오드 : P영역에서 양(+)의 전압을 N영역에 (-)의 전압이 인가된 상태를 순방향 (forward) 바이어스가 인가 되었다고 함
역방향 다이오드 : P영역에 음(-)의 전압을, N영역에 양(+)의 전압이 인가된 상태를 역방향 (reverse) 바이어스가 인가 되었다고 함
*추가관련이론
PN 접합 다이오드는 불순물을 도핑하여 P형 반도체와 N형 반도체를 접합하게 되면 P형의 정공과 N형의 전자가 접합영역에서 결합하여 공핍층을 생성함. 공핍층은 정공이나 전자와 같은 캐리어가는 절연영역이며 접합영역을 통과하는 캐리어의 이동을 방해함. 다이오드에 순방향 전압이 걸리면 공핍층의 영역이 줄어들어 전류가 흐르게 되고, 역방향 전압이 걸리면 공핍층의전류가 흐르지 않게 된다.

키워드

반도체다이오드의특성,   진성반도체,   n형반도체,   p형반도체,   pn접합 ,   실험예비보고서