목차
1. 사용 장비 및 부품
2. 실험 방법 및 결과
2.1 게이트-소스 전압에 대한 드레인 전류의 변화
2.2 이미터 폴로워
2.3 소스 접지 증폭기
3. 결론
2. 실험 방법 및 결과
2.1 게이트-소스 전압에 대한 드레인 전류의 변화
2.2 이미터 폴로워
2.3 소스 접지 증폭기
3. 결론
본문내용
.1
163.8
측정
0.3
15
31
48
68
91
116.5
145.5
측정
0
1.03
2.06
3.09
4.11
5.13
6.14
7.14
4V
4.5V
5V
5.5V
6V
6.5V
7V
7.5V
PSPICE
190.6
218.6
247.8
278.7
311.3
346.2
383.8
425.0
측정
179.7
219
264
317
381
456
538
636
측정
8.13
9.11
10.07
11.02
11.95
12.85
13.74
14.60
8V
8.5V
9V
9.5V
10V
10.5V
11V
단위
PSPICE
471.0
524.0
589.0
682.0
1039
1539
2039
mV
측정
737
861
1000
1130
1290
1454
1620
측정
15.45
16.25
17.02
17.81
18.53
19.24
19.95
mA
가 증가하지만 드레인 전류는 증가하지 않고 일정하게 유지되는 현상을 핀치 오프라고 한다. 위의 실험 측정 표를 보면 =10.5V쯤부터 =19.2mA로 전류의 변화 폭이 작아지는 것을 볼 수 있다. 이 때의 를 구하면 = 에서 =1.46V가 나온다. 따라서 실험 측정 결과 값으로 얻은 핀치 오프 전압 =1.46V이고 예비보고사항에서 작성한 핀치 오프 전압 =0.768V와 비교해보면 0.7V 정도 차이가 있었음을 알 수 있다.
2.2.4 검토 사항
앞에서 했던 실험과 마찬가지로 예상했던 결과와는 약간 차이가 있었음을 알 수 있다. MOSFET의 특성상 열에 약해서인지 예상했던 결과에서 약간 벗어난 측정 결과를 얻은 것 같다.
2.3 소스 접지 증폭기
2.3.1 실험 회로도
PSPICE 회로도
브레드 보드 구성
2.3.2 실험 방법
1) 실험 회로 9-3의 회로를 구성하라.
2) 동작점 를 측정하라.
3) 입력에 크기가 10mV, 주파수가 1kHz인 사인파를 인가할 때 입력과 출력 파형을 관찰하라. 이로부터 전압 이득을 구하라.
2.3.3 실험 결과
입력 파형
출력 파형
입력 파형
출력 파형
입력 신호
입력 측정
출력 측정
전압 이득 크기
100mVpp
109mV
950mV
8.16V/V
200mVpp
208mV
1.830V
8.79V/V
이 실험에서 동작점을 측정하기 위해 를 측정하니 =6.62V가 측정되었고 이를 이용하여 를 이용하여 계산하니 =3.38mA가 나왔다. 예비보고서에서 예상했던 =3.485mA와 거의 비슷한 값을 얻을 수 있었다. 강의자료의 실험방법에서는 입력에 10mVpp인 사인파를 인가하라 하였는데 입력 신호가 매우 작아서 노이즈가 심해 100mVpp와 200mVpp를 이용하여 실험을 진행하였다. 두 실험 결과로 얻은 전압 이득의 크기는 8.16, 8.79V/V를 얻었고 예비보고사항에서 PSPICE 시뮬레이션으로 얻은 전압이득 =10.5와는 약간 차이가 있었다.
2.3.4 검토 사항
3개의 실험 중에서 그나마 실험 결과를 얻기 쉬운 실험이였다. 입력 신호를 너무 작게 주면 노이즈가 심하게 생겨 원하는 결과 값을 얻기가 어려우므로 입력 신호를 약 100mVpp를 주고 실험을 진행해야했다.
3. 결론
이번 실험은 대체적으로 MOSFET이 열에 약하다보니 금방 망가지고 실험값이 제대로 나오지 않아 약간 어려움이 있었다. 실험 중에 우리 조 자리의 멀티미터로는 측정이 잘 되지 않아서 자리도 옮겨서 하다 보니 크게 어려운 실험이 아닌데도 오래 걸린 실험이였다. 이번 실험을 통해 MOSFET의 차단영역, 트라이오드영역, 포화영역에 대해서 이론 시간에 배웠던 내용들을 직접 실험해보며 기억속에 더 자리잡게 해줬고 소스 접지 증폭기 실험을 통하여 전압 이득을 계산해보고 동작에 대해서 공부해볼 수 있는 기회였다.
163.8
측정
0.3
15
31
48
68
91
116.5
145.5
측정
0
1.03
2.06
3.09
4.11
5.13
6.14
7.14
4V
4.5V
5V
5.5V
6V
6.5V
7V
7.5V
PSPICE
190.6
218.6
247.8
278.7
311.3
346.2
383.8
425.0
측정
179.7
219
264
317
381
456
538
636
측정
8.13
9.11
10.07
11.02
11.95
12.85
13.74
14.60
8V
8.5V
9V
9.5V
10V
10.5V
11V
단위
PSPICE
471.0
524.0
589.0
682.0
1039
1539
2039
mV
측정
737
861
1000
1130
1290
1454
1620
측정
15.45
16.25
17.02
17.81
18.53
19.24
19.95
mA
가 증가하지만 드레인 전류는 증가하지 않고 일정하게 유지되는 현상을 핀치 오프라고 한다. 위의 실험 측정 표를 보면 =10.5V쯤부터 =19.2mA로 전류의 변화 폭이 작아지는 것을 볼 수 있다. 이 때의 를 구하면 = 에서 =1.46V가 나온다. 따라서 실험 측정 결과 값으로 얻은 핀치 오프 전압 =1.46V이고 예비보고사항에서 작성한 핀치 오프 전압 =0.768V와 비교해보면 0.7V 정도 차이가 있었음을 알 수 있다.
2.2.4 검토 사항
앞에서 했던 실험과 마찬가지로 예상했던 결과와는 약간 차이가 있었음을 알 수 있다. MOSFET의 특성상 열에 약해서인지 예상했던 결과에서 약간 벗어난 측정 결과를 얻은 것 같다.
2.3 소스 접지 증폭기
2.3.1 실험 회로도
PSPICE 회로도
브레드 보드 구성
2.3.2 실험 방법
1) 실험 회로 9-3의 회로를 구성하라.
2) 동작점 를 측정하라.
3) 입력에 크기가 10mV, 주파수가 1kHz인 사인파를 인가할 때 입력과 출력 파형을 관찰하라. 이로부터 전압 이득을 구하라.
2.3.3 실험 결과
입력 파형
출력 파형
입력 파형
출력 파형
입력 신호
입력 측정
출력 측정
전압 이득 크기
100mVpp
109mV
950mV
8.16V/V
200mVpp
208mV
1.830V
8.79V/V
이 실험에서 동작점을 측정하기 위해 를 측정하니 =6.62V가 측정되었고 이를 이용하여 를 이용하여 계산하니 =3.38mA가 나왔다. 예비보고서에서 예상했던 =3.485mA와 거의 비슷한 값을 얻을 수 있었다. 강의자료의 실험방법에서는 입력에 10mVpp인 사인파를 인가하라 하였는데 입력 신호가 매우 작아서 노이즈가 심해 100mVpp와 200mVpp를 이용하여 실험을 진행하였다. 두 실험 결과로 얻은 전압 이득의 크기는 8.16, 8.79V/V를 얻었고 예비보고사항에서 PSPICE 시뮬레이션으로 얻은 전압이득 =10.5와는 약간 차이가 있었다.
2.3.4 검토 사항
3개의 실험 중에서 그나마 실험 결과를 얻기 쉬운 실험이였다. 입력 신호를 너무 작게 주면 노이즈가 심하게 생겨 원하는 결과 값을 얻기가 어려우므로 입력 신호를 약 100mVpp를 주고 실험을 진행해야했다.
3. 결론
이번 실험은 대체적으로 MOSFET이 열에 약하다보니 금방 망가지고 실험값이 제대로 나오지 않아 약간 어려움이 있었다. 실험 중에 우리 조 자리의 멀티미터로는 측정이 잘 되지 않아서 자리도 옮겨서 하다 보니 크게 어려운 실험이 아닌데도 오래 걸린 실험이였다. 이번 실험을 통해 MOSFET의 차단영역, 트라이오드영역, 포화영역에 대해서 이론 시간에 배웠던 내용들을 직접 실험해보며 기억속에 더 자리잡게 해줬고 소스 접지 증폭기 실험을 통하여 전압 이득을 계산해보고 동작에 대해서 공부해볼 수 있는 기회였다.
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