|
정류 배전압 회로
실리콘 반파정류 전원의 이점은 전원용 트랜스를 사용하지 않으므로 제작비가 적게 든다는 점이다. 한편 단점은 직류전압이 대략 10V로 제한된다는 것이다. 배전압 전원장치를 사용하면 전력선 입력을 끄고 동작시켰을 때의
|
|
|
깔별 LED의 특성곡선>
*LED 노랑
문턱전압 : 1.777V
알려진 LED의 문턱전압 : 1.8V
*LED 빨강
문턱전압 : 1.667V
알려진 LED의 문턱전압 : 1.8V
실험 2. 정류회로 제작
1) 반파 정류 회로의 제작
2) 전파 정류 회로의 제작
<고찰>
첫 번째 실험에서는 DMM로
|
|
|
정류회로를 만들어 보는 실험을 했는데, 반파 정류 회로와 전파 정류 회로를 만들어 보았다. 반파 정류 회로에서는 Function Generator에서 교류 전류를 흘려주면 Diode에서 -쪽 전류를 차단해 +쪽 전류만 나왔고, 전파 정류 회로에서는 +일 때와 -일
|
|
|
이론 요약
A. 옴의 법칙
B. 다이오드 특성
☆ 반도체의 종류 ☆
☆ 다이오드 ☆
☆다이오드의 원리☆
2. 실험 결과
* 단진자의 질량 및 반지름
A. 옴의 법칙
B. 다이오드 특성
3. 분석 및 토의
A. 실험 결과 분석
|
|
|
특성변화
Ge, Si, GaAs 의 특성
다이오드의 정저항
예제1.
다이오드의 동저항
예제2
평균 교류저항
저항레벨
다이오드의 등가회로
직렬 입력을 받는 다이오드의 직렬구성
예제3
정현파 입력 - 반파정류
전파정류 –
|
|
|
정류용 다이오드를 사용한다.하나의 다이오드에서는 반파정류( 플러스와 마이너스가 교대로변화하는 전압의 플러스 측 또는 마이너스측 중에서 어느 한 쪽만 사용한다. ) 밖에 할 수 없지만,다이오드를 4개 조합하면 전파 정류를 할 수 있다.
|
|
|
회로는 기본 반파 정류 회로보다 더욱 정밀한 정류 회로를 구현할 수 있다.
이번 실험을 통해 처음 접하는 정밀 정류 회로를 좀 더 자세하게 알 수 있었다. 기존의 반파정류회로보다 더욱 정밀하게 정류할 수 있는 회로를 구현하여 소자 특성
|
|
|
정류회로와 트랜지스터의 특성
실험9-1 : 정류 회로
1. 목적
2. 이론
1. 정류 회로
1.1 반파 정류 회로
1.2 전파 정류 회로
1.3 Bridge 정류 회로
1.4 평활 회로
3. 실험 기구
4. 실험 방법
실험9-2 : 트랜지스터의 특성
1.
|
|
|
반파 정류기
② 전파 정류기
③ 전파 정류기 출력의 필터링
<전체 실험 결과>
<실험 3-1. 무부하 실험(기준저항과 커패시터의 병렬 연결)>
<실험 3-2. 부하 실험(부하저항 추가)>
<실험 3-3. 무부하 실험(2번째 커패시터 추가)>
<실험 3-4. 부하
|
|
|
반파
0V
7.8108V
16.253V
0V
2.4863V
5.1734V
전파
0V
7.8108V
16.253V
0V
4.9726V
10.347V
브리지
0V
7.1414V
15.541V
0V
4.5463V
9.893V
위 표와 같은 값을 얻을 수 있었다. 전자회로실험 예비보고서
3장. 다이오드 정류 회로
1. 실험 목적
2. 이론
3. 사용 장비 및 부품
4.
|
|
메뉴펼치기
