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실험방법
<실험 부품 및 장비>
DC Power Source, Multimeter, 1kΩ 저항, 10kΩ 저항, 0.1uF 커패시터, HEF4007UB
<실험 과정 - Vt 측정>
1. HEF4007UBP를 이용하여 옆의 회로를 꾸민다.
2. VDD를 10V로 고정시킨 후 VGG를 조절하여 VGS를 0V부터 5V까지 0.4V씩 증가
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1N4154 또는 대치품
기타 : SPST 스위치, 5000Ω 2W 전위차계
<실험 과정>
<바이어스 안정화>
1. 오른쪽과 같이 회로를 구성한다.
2. S1을 닫고, 컬렉터 회로의 전류 IC를 측정하여 기록한다. VBE, VE, VCE도 측정하여 기록한 후 IE를 계산한다.
3. 음
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Pspice로 예상했던 결과와는 달라서 약간 아쉬웠다. 시간이 조금 더 있다면 소자값들을 수정하여 이 문제를 해결할 수 있을 것 같다.
5. 고찰 마지막 실험인 오디오 증폭기 설계를 통해 지금까지 전자회로시간에 배워왔던 이론과 실험한 내용들
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회로를 구성하고 가변저항을 변화시키면서 전류-전압 특성을 관측하여 기록하라.
(7) <그림 13>의 두 조합 논리회로를 구성하여 실험을 통하여 진리표를 작성하라.
6. 실험 내용 및 결과
(1) 인버터 게이트의 회로를 구성하고 0V와 5V의 값을
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회로가 되고 Loading effect가 발생하지 않게 되어 발생할 수 있는 최대 전압이득을 유도할 수 있다. 위에서도 실험을 통해 분석해 본 것과 같이 RL값이 더 커지게 되면 컬렉터 저항의 합성저항은 커지게 되므로 전체 전압이득(Av)는 증가하게 된다.
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컬렉터-이미터전압에 다 걸리는 것을 알 수 있다. 1. 실험목적
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비
4. 데이터표
< 데이터-컬렉터귀환 바이어스 >
Data값에 대한 분석(결론)
Discussion
실험 12장에 대한 복습문제
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결과 캐패시터값을 크게 증가함으로써 생기는 단점도 몇가지 있었는데, 캐패시터의 값이 커지는 만큼 충전주기(T)도 증가하게 됨으로써 실험을 하는데 어려움이 생기고, 또 다른 점으로는 처음으로 회로에 전압을 인가할 경우 Short상태인 캐
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실험에서 제너 다이의오의 변곡점이 6.2V임을 알 수있었고, 답은 그러므로 약6V의 값이 맞다고 할 수 있겠다.
2. 다이오드 특성곡선의 어느 부분에서 제너다이오드는 개방회로와 같이 되는가?
(a) 다이오드 전압이 제너전압보다 작을 때
(b) 다이
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되는 것이다. 트랜지스터 접합을 시험하는 법
1. 실험목적
2. 배선(회로)도
3. 실험에 사용한 소요부품 및 장비
4. 실험과정
5. 데이터표
Data값에 대한 분석(결론)
Discussion
실험 8장에 대한 복습문제
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결과적으로 Av값이 증가하게 된다.
4. 그림 16-1의 회로에서 VE는 대략 얼마인가?
(a) -9V (b) 0V (c) -0.7V (d) +0.7V
⇒ 회로에서 이미터전압(VE)값은 VB-0.7V로 구할 수 있으므로 다음과 같은 식이 성립된다.
VE=VB-0.7V=0V-0.7V=-0.7V
5. 다음 중 공통베이스 증폭
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