|
정리와 부울 대수, 그리고 카르노 맵을 통한 간략화를 통해 이루어져 있다는 것을 알게 되었다. 뭐든 기초가 중요하다는 것을 다시 한 번 깨달았고 한 단원씩 해 갈수록 점점 더 흥미가 느껴진다. 벌써 다음 수업시간이 기대된다.
|
|
|
실험치에서 약 20Ω의 오차를 보이는데, 10%오차 허용범위내에서는 거의 맞아 떨어지는 값이된다. 따라서 위 관계식은 성립한다고 볼수 있다.
10. 아래와 같은 브리지회로를 구성하고, 그림에 표시된 전압 V4가 V2와 같게 되도록 가변저항을 조
|
|
|
실험 회로
그림3-1(b) 입력파형
그림3-1(c) 출력파형
양의 피크값
1.80V
음의 피크값
-3.44V
그림3-1(d) 역방향 출력파형
양의 피크값
3.44V
음의 피크값
1.80V
ⅱ. 병렬 리미터
그림 3-2(a). 병렬 리미터 실험 회로
그림3-2(b) 입력파형
그림3-2(c) 출력파형
양
|
|
|
점점 축척이 되고, flash switch를 닫았을 때, 그 축적된 에너지가 방출이 되는 것이다. 그럼으로써, 짧은 시간동안에 큰 전압을 발생시킬 수 있는 것이다.
3. Reference
-Principles of Physics
-회로실험 교재 1.실험결과
2. 토의
3. Reference
|
|
|
브리지 회로에서 저항들 간의 관계를 확인한다.
(3) 노드 분석법(Nodal Analysis)와 메쉬 분석법(Mesh Analysis)를 확인한다.
2. 실험 기본 이론
(1) 평형브리지
휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)는, 스트레인 게이지 등 저항측정에 이용되는 회로이다.
|
|
|
커지게 될수록 발열량이 많아진다 이 길게 뻗게 되는 선저항을 돌돌 말아 사용하게 되면 선수 n배 만큼 발열량이 커저 히타의 역할을 할 수있게 된다. 실험6. 집적회로 소자 공정 실험 결과보고서
4. 예비보고서
7. 결과보고서
|
|
|
실험은 다이오드의 반파, 전파 및 브리지 정류회로에 관한 실험으로 실험 1장에서의 다이오드의 순방향 바이어스 전류 통과 특성을 이용하여 결과 값을 도출해 내는 실험이다. 먼저 첫 번째 실험 반파 정류회로의 결과를 보면 교류의 입력 전
|
|
|
예비 보고 사항
1) 실험 회로 2-1에서 입력 저항의 크기를 작은 값인 100Ω을 사용하는 이유를 설명하라.
위 데이터 시트 LM741의 입력 오프셋 전압은 평균 15mV이고 대신호 전압 이득은 약 200V/mV정도 인 것을 알 수 있다. 우리 실험과 같이 실험한다
|
|
|
회로실험 (명기환, 최영일, 김인환 공저, 光明 2000)
2. PSpice 기초와 활용 (최평, 조용범, 목형수, 백동철 공저, 복두출판사 2007)
3. 기초전기전자 + 전자회로실습 (박종화, 고수복, 김용규, 김우성, 김종겸, 이형우 공저, 복주출판사 2005)
4. 회로이론
|
|
|
회로에서의 전류계를 제거하고 전력계의 전류 단자를 D-E에, 전압 단자를 D-F에 연결시킨 후 ⑤의 ⑷, ⑸, ⑹의 각 실험회로에서의 유효전력을 측정한 후 표 15.4 ( b )를 완성하라.
5. 참고자료
- 기초전기전자공학실험 (교학사, 대한전자공학회, 1
|
|
메뉴펼치기
