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실험의 경우는 RLC회로에서 각 R, L, C에 걸리는 전압을 측정하여 R, L, C 값을 알아내는 실험이었다. 주파수를 일정하게 유지시키면서 전압을 변화시키고, 그 때 걸리는 전압을 가지고 그래프를 그리고 그 그래프의 기울기를 알아내면 R, L, C 값을
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실험
회로 구성입니다
각각의 저항에 전압측정기를 달고 전압을 0~10V로 올려가며 측정한 결과그래프 입니다.
아래 표는 전원전압이 10V일 때 측정된 각각의 저항에서의 전압입니다.
분홍색은 전원부 전압입니다. 각 저항에서 걸리는 전압의 합
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출력 트랜스의 권선비는 얼마가되는가?
,
② 위순서 1의 트랜스에 1차측에 흐르는 전류가 55mA 이며 효율이 라고 하면 이 트랜스의 2차측에서 소비전력은 몇 [W]가 되는가?
※참고문헌 : 전자회로기초및응용,전자통신기초실험 - 상학당,
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실험 목적
▣ 실험 이론
(1) ROM
(2) RAM
▣ 예비과제
1. ROM(Read Only Memory)의 일반적인 특징을 간단히 설명하여라.
2. 256 X 16 ROM의 의미는 무엇인지 설명하라.
3. RAM의 특성을 나타내는 다음 용어에 대해 간단히 설명하라.
4. Static RAM의 기본
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, R1에 걸리는 전압 V1, R2에 걸리는 전압 V2, 그리고 R3에 걸리는 전압 V3를 측정하여 표 2.1에 그 값을 기록하라. 중첩의 원리
1. 실험 목적
2. 실험 기본 이론
3. 실험 방법
4. 참고문헌
5. 예비 보고서
6. 실험 결과
7. 고찰
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예비과제
(1) 비동기식 카운터(Asynchronous counter)의 원리를 설명하라.
(2) 비동기식 카운터의 장단점을 열거하라.
(3) 비동기식 카운터에서 클럭펄스의 주파수가 높아지면 어떠한 현상이 일어날 것인가를 예측하라.
(4) <그림 19.8> 회로에 대
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1. OR게이트
OR게이트는 모든 논리 기능이 수성될 수 있는 또 다른 기본 게이트로, 두 개 또는 그 이상의 입력을 가질 수 있으며 논리 덧셈을 수행한다. OR 게이트는 입력 중 어느 하나가 1(High)이면 1(High)출력을 발생하며, 모든 입력 신호가 0(Low
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검류계를 이용한 브리지회로이다. 이 회로에서 미지의 저항을 측정하는 방법은 다음괴 같다.
가변저항 를 조절하여 검류계의 지침이 ‘0’이 되게 한다
의 값을 회로시험기로 측정한다
식 을 이용하여 미지 저항값 를 계산한다
실험장비
가변
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기초전자회로, 정용성 저, 도서출판정일, 2005
전자회로의 기초, 강중순 김상진 안기형 이재곤 공저, 북스힐, 2002
전자회로, 정민수 외 6명 공저, 복두출판사, 2006 1. IC 연산 증폭기
2. 부귀환제어
3. 실험결과
실험 1. 기본 연산 증폭기
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실험 고찰
1. 그림 4-1의 회로는 exclusive-OR 함수를 어떻게 생성하는가? 특히 게이트 G3에 들어오는 입력을 참고로 하여 토의하라.
2. 그림 4-2의 회로가 기초이론에 있는 논리 방정식과 같음을 보이고, 이것이 exclusive-OR 함수를 만든다는 것을 보여
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