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5-2. 555 비안정기- 실험 1(c)
Computed
Measured
Percent
Difference
T(high)
T(low)
T
f
D 1. 실험목적
2. 기초이론
3. 실험기기 및 부품
4. 실험과정
5. 실험 고찰
6. 필요한 결과
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⇒~(~(~(~A~B))(~(AB))))
즉 ~A와 ~B의 NAND연산과 A와 B의 NAND연산을 NAND연산으로 한 다음 NOT 연 산으로 처리했다고 볼 수 있다. ~A를 얻는 방법은 NAND의 입력단자 둘을 모두 A단자에 연결시키면 된다. ~B도 같은 방법으로 얻는다. 마지막은 NOT연산이지만
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실험에서 회로의 저항값은 표1-1에서와 같이 감소됨을 알수 있다. 이론상에서의 Si 다이오드의 0.7V와 비슷한 결과를 보이는 것을 실험에서 확인 할 수 있다. 예비 보고서
■Review questions
◎ 다이오드 순방향 특성 실험 회로 실험보고서
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계산한다.
⑤ 위의 과정을 반복한다.
⑥ 비례변이 10인 휘스톤 브릿지에서 미지저항을 측정한다. 예비보고서
∙테브난, 노턴 등가회로
∙최대전력전달 조건
∙평형 브릿지 회로
실험기기 및 부품 ☆
☆ 실험과정 ☆
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회로실험 / 박철원 외2인 / 경문사
기초 전기전자공학실험 /
http://cyber.inha.ac.kr/class/stud/note/lec_no_list.asp
시뮬레이션 결과 분석
시정수τ와 주기T와의 관계에대해 생각해보자.
회로1에서의 시정수 τ= RC = 100 × 0.33×
{ 10}^{-6 }
= 33×
{ 10}^{-6 }
주기 T
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회로이론, 문운당
윤현민·이형기(1995) : 기초반도체공학
일렉트로닉스 : MALVINO, 대영사
김태중 : 일반전자공학실험, 상학당
이성호·최창규 역 : 전자회로실험, Pearson International Edition 5th ed
조세황(1996) : 최신 전자 회로, 진영사
Greg Parker, 김종
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같은 경우
(4)차동증폭기
-비반전 입력 단자와 반전 입력 단자에 가해진 입력 신호의 차를 증폭하는 회로이다.
-에 의한 반전증폭기의 출력 전압 =
=>
-중첩의 원리 이용
3. 예비 과제 1. 실험 목적
2. 핵심 내용 정리
3. 예비 과제
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회로, digitizing회로 등으로 구성된다. 화면 표시 방법은 내부의 전자총이 전자를 연속적으로 발사하여 발사된 전자들이 고전압에 의해 가속되고 화면 안쪽면에 형광막에 충돌하면서 밝은 점으로 나타나게 된다. 연속적으로 전자가 밝은 점을
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바꾼 후, R 양단의 전압 파형, 전압, 부하전류 및 맥동률을 측정하여 기록한다.
(2)Voltage Doubler
그림 7 Voltage doubler 회로
1. 그림 7과 같이 회로를 연결한다.
2. R 값과 C 값을 바꾸어 가면서 기록한다. 1. 실험 목적
2. 실험 이론
3.실험 방법
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회로이다.
우선 두 입력을 키패드로부터 입력받을 수 있도록 핀설정을 하시오. 또한 출력을 FPGA의 7세그먼트로 출력할 수 있도록 Output 핀에 대한 설정을 하시오.
그리고 원하는 출력이 나오는지 주목하면서 실험을 하시오.
5. 실험 고찰
1. 3단
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