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입력전압에 대한 출력전압의 변화를 그래프로 그리고 LOW 레벨 노이즈마진과 HIGH 레벨 노이즈마진을 구하라.
⑥ 그림7-8과 같이 논리 회로를 구성하고 Y와 Y\'에 흘러가는 전류를 구하시오.(저항은 100㏀)
그림7-8. 논리회로
5.예비 보고 사항
실험
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실험 방법
1) 그림 5.1과 같이 회로를 결선하고 함수발생기로 정현파를 인가하여 신호의 크기를 로 맞춘 후, 주파수를 100Hz부터 1MHz까지 변화시켜가면서 커패시터 양단의 전압 을 오실로스코프로 측정하시오. 또한, 주파수 변화에 따른 의 변화
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실험 방법
(1) Gate로 구성한 RS F/F ; 그림 6과 같이 회로를 구성한 후, S‘과 R’을 교대로 접지에 연결하면서 LED의 점등상태를 확인하시오.
(2) 74LS93 2개를 이용하여 8bit-Binary Counter를 구성하고 Clock Pin에 함수 발생기를 이용하여 2kHz Clock(5Vp-p, DC off
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1. 제목: 실험15. RL 직렬회로의 인덕턴스 측정
2. 실험결과
1) 과정(1) 인덕턴스 L 측정
≪ 그 림 ≫
Figure 15.5 - L 측정회로
Table 15.1 - L 측정회로 VA2=VR2+VL2
≪ 표 ≫
2) 과정(2) 저항(등가 인덕턴스) 측정
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1. 제목 : 실험 18. RC 회로의 리액턴스 측정
2. 실험결과
≪ 그 림 ≫
(1) 표 18-1. VR 과 Vc 의 측정
≪ 표 ≫
(2) 표 18-2. Xc의 측정
≪ 표 ≫
(3) 표 18-3. 임피던스의 측정
≪
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12장 테브낭 정리
실험 목적
1. 선형저항성 회로망을 테브낭 등가회로로 변환한다.
2. 여러 가지 부하저항의 효과를 비교함으로써 <목적1>의 회로망과 테브낭 회로가 등가인 것을 증명한다.
이론요약
• 테브낭 정리
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실험 29. 능동 필터회로
(1) 목적
다양한 형태의 능동 필터회로에서 주파수 함수로서 AC 전압을 측정한다.
(2) 실험장비
① 계측장비: 오실로스코프, DMM, 함수발생기, 직류전원공급기
② 부품:
◇ 저항: 10kΩ (5개), 100kΩ(1개)
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모든 값에 대하여 실험절차 13, 14를 반복한다.
6. 참고문헌
· 네이버 지식in
· 전자회로(malvino)
· 기초전자회로실험 (인터비젼) 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 실험 장비 및 재료
4. 실험에 필요한 기본 지식
5. 실험절차 및 예상
6. 참고문헌
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실험 31. 발진기 회로
(1) 목적
다양한 발진기 회로에서 파형을 측정한다.
(2) 실험장비
① 계측장비: 오실로스코프, DMM, 함수발생기, 직류전원공급기
② 부품:
◇ 저항: 10kΩ (3개), 51kΩ (1개), 100kΩ (1개), 220kΩ (1개), 500kΩ pot (1개)
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실험치의 차이가 나게 측정이 되었는데, 실험 도중 발생하는 실험 도구가 아주 이상적인 도구를 사용(아주 정확한 측정기기와 저항이 없는 회로)하였다고 하면 이론치와 같게 측정되었을 것임.
소감
회로 구성 방법을 배울 수 있었음.
전압분
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