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회로에 대해 포화전류 를 계산하라.
(계산값) = 8.06㎃
c. 연습문제 1(a)와 (b)의 포화전류는 트랜지스터의 β에 민감하게 변화하는가?
포화전류 무관하다.
2. 이 실험에서 살펴본 두 회로에서 2N3904 트랜지스터를 2N4401 트랜지스터로 교체할 때 동작
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하라.
%△ =
%△ =
%△ =
7. 의 % 변화를 계산하라.
%△ =
이론
5. 트랜지스터의 에 대한 % 변화를 계산하라. 이후 모든 계산에서 실험 책에서 주어진 공식을 이용하라.
%△ =
6. 베이스, 컬렉터, 이미터 전류의 % 변화를 계산하라.
%△ =
%△ =
%△ =
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비교해 봤을 때 모두 다 거의 일치함을 알 수 있었다.
[결과 검토 및 나의 고찰]
이번 실험은 PSpice라는 전자회로를 시뮬레이션 할 수 있는 프로그램 사용 방법을 배우고 회로를 PSpice로 구성 한 뒤 시뮬레이션을 돌려보았다. 또한 실제로 브레드
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실험값을 비교하고, [%]오차를 계산하라.
☞ Z의 이론값은 4865[]이고 실험값은 6321[]으로 상당히 다르고 29.93%의 오차가 발생하였다.
(7) [그림 9-13]의 실험 회로를 시뮬레이션하여 과 의 위상차(각도)를 구하라. 교류전원 V1으로는 20[KHz], 20Vpp 정현
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실험값은 853[]으로 약간의 오차가 발생하였음을 알 수 있었고, 12.8%의 오차가 발생하였다.
(5) PSpice 시뮬레이션
① [그림 10-9]에서 저항 R1을 추가한 이유를 설명하라.
☞ 인덕터와 전원이 쇼트되는 것으로 인식하는 것을 막기 위해 회로에 영향
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전압 신호의 주기를 알려면 수평감도 와 수평칸수를 곱하여주거나 고등학교 때 배웠던 공식인 주기는 진동수 분의 1이라는 공식을 사용하여도 됩니다. 0. 실험 목적
실험 이론
실험 내용 및 결과
토의 및 고찰
질의 응답
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회로 내부에서 발생하는 저항에서 발생한 것이다.
6 ) 문턱전압
이론 개요에서 정의한 것처럼 각 다이오드의 점화 전위(문턱 전압)를 특성곡선 그림으로부터 결정하라. 그림2-5에 근사화한 직선을 보여라.
(Si) = 0.63V
(Ge) = 0.3V
실험결과
1. 역방향
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레벨을 0에서 20dB 까지 조절한다.
출처
https://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%98%A4%EC%8B%A4%EB%A1%9C%EC%8A%A4%EC%BD%94%ED%94%84
https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%95%A8%EC%88%98_%EB%B0%9C%EC%83%9D%EA%B8%B0
https://blog.naver.com/yd5334/130087019393 제목
실험 목적
실험 장비
이론
출처
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접합
https://ko.wikipedia.org/wiki/PN_%EC%A0%91%ED%95%A9
저항
https://ko.wikipedia.org/wiki/%EC%A0%84%EA%B8%B0%EC%A0%80%ED%95%AD
http://codingrun.com/65
브레드보드
http://codingrun.com/67?category=678395 제목
실험 목적
실험 장비
이론
출처
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이용한 다이오드를 제너 다이오드 또는 정전압 다이오드라고 한다.
2-1. 제너 다이오드의 기호와 특성
- 순방향 바이어스
일반적인 다이오드와 동일한 특성을 가진다.
순방향 문턱전압 : 0.7V
- 역 제목
실험 목적
실험 장비
이론
출처
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