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회로를 구성하고, 데이터 스위치를 변화시켜가며, 출력상태를 기록하라.
실험 5는 RAM 논리소자를 사용하여, RAM의 READ/WRITE 기능을 확인해 보는 실험이다.
Address
W
DATA IN
DATA OUT
D
C
B
A
D4
D3
D2
D1
Q4
Q2
Q3
Q1
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
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체적으로 회로가 너무 복잡해서 회로를 구성하는데 시간이 오래 걸리고 오류도 많이 발생하였습니다. 특히 브레드보드에 문제가 있는 부분에서 실험을 하기도 했고 파워서플라이와 연결하는 선에 문제가 있어서 결과가 제대로 나타나지 않
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습니다.
실험 2는 실험 1과 비슷한 회로인데 RC회로가 RL회로로 바뀌었다는 것과 실험 1에서는 에 해당하는 커패시터에 걸리는 전압을 측정했다가, 실험 2에서는 에 해당하는 저항에 걸린 전압을 측정했다는 차이가 있습니다. 이것을 제외하면
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회로소자 값 을 만족해야하는 것을 알 수 있다.
실험
(1) <그림 16.1>의 회로 (R=1 [k], C=0.01 [uF], L=10 [mH])를 구성하고 신호발생기로부터 발생된 진폭이 5 [V]이고 주파수가 5 [kHz]인 구형파 신호 를 회로에 인가한다. 와 커패시터 양단에 걸리는
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실험은 RLC 2차회로의 스텝 응답을 해석하고, RLC 2차회로의 과제동 응답, 임계제동 응답, 부족제동 응답을 확인하는 실험이었습니다. RLC 회로에서 공식 을 이용하여 계산한 후 인 것을 이용하여 실험의 응답을 확인할 수 있었습니다.
실험 (1)은
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때 TM기 모드가 활성화되어 외부 디바이스에서 아날로그 신호를 얻을 수 있습니다.
이번 실험은 실험 (4)와 실험 (5) 모두 결과 값이 이론값과 비슷하게 나왔습니다. 이론값은 실험부분의 표 아래에 적어두었습니다. 실험
비고 및 고찰
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경우 깜박거리 게 된다. 만약 최대 100옴을 측정할 수있는 레인지에서 1k옴의 저항을 측정할때 같 은 경우나, 최소 100옴을 측정할 수 있는 레인지에서 10옴의 저항을 측정할 때 같 은 경우인 것이다. 실험목적
이론적배경
결과
실험 고찰
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Vm / Rm 이므로,
V값을 유도하면,
V = Vm(1 + Rs / Rm)
즉, 전압계의 최대 측정 범위의 Vm의 (1+ Rs/Rm) 배의 전압까지 측정할 수 있으며,
여러 개의 Rs를 선택 사용함으로써 측정범위가 다른 몇 개의 전압계 구실을 한계의 전압계로 할 수 있다.
(계기의
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회로에서 공진주파수
표 12
VOLT/DIV
TIME/DIV
최대전압
ω(공진주파수)
공진주파수 오차
예상
결과
차이
백분율
5V
20s
12V
100kHz
16.092kHz
83.908kHz
521%
① 계산식
ω = (공진주파수) : = Hz = 100kHz
② 실험한 결과 16.092kHz로 이론값과는 83.908kHz차이로 약 1/5의
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.651
5679.489
1.52
- 20
157.9406
10076.89
7938.96
5163.403
1.937
177.9406
8944.274
8944.27
4700
2.128
+ 20
197.9406
8040.541
9949.58
5072.911
1.971
+ 40
217.9406
7302.675
10954.89
5952.199
1.68
+ 60
237.9406
6688.852
11960.2
7062.372
1.416
+ 80
257.9406
6170.217
12965.51
8262.324
1.21
+ 100
277.9406
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