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회로에서만 가능하며, 선형회로라도 전압이나 전류를 계산할 때는 사용 가능하나, 전력은 회로변수인 전압이나 전류의 비선형함수 이므로 각 성분 전분 전역의 합으로 전체 전력을 구할 수는 없다.
▶ 실험방법
5. 실험 방법
(1) 중첩의 원리를
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판 상학당, 2009, pp68-72.
AlexanderSadiku, 『Fundamentals of Electric circuits』4th, McGRAW.hill higher Education, 2009, pp150-151.
네이버 용어사전, 검색어|정합회로, http://terms.naver.com/item.nhn?dirId=215&docId=14926 1. 목적
2. 관련이론
2.1 최대 전력 전달(Maximum Power Transfe
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실험중 V ,V 값을 일정한 시간동안 측정하는게 좀 힘들었다. 220(㎌)커패시터가 없어서 330(㎌)커패시터를 사용해서 예비이론 에 나온 값과 정확한 값을 비교 할수가 없었지만 330(㎌)커패시터로 측정해도 거의 비슷한 값이 나왔다. 1.실험 목
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기초방정식을 써 내리면
이상으로 T회로의 임피던스 파라미터는
[Ω], [Ω],
[Ω]
이다.
11-4[답]
11-5
[Ω]
[]
11-6
→
[Ω]
→
[Ω]
[Ω],
[Ω]
∴
11-7[답]
11-8[답]
11-9[답]
11-10
11-11[답] 8 [Ω]
11-12
[Ω]
11-13상기의 회로를 변형하면 다음과 같다.
(a)
(b
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회로설계를 3번 회로나 4번 회로를 사용하는 것이 훨씬 좋다는 것을 알 수 있다.
- 이번 실험 시간에 4가지 바이어스 법을 사용한 기초적인 4가지의 증폭기를 조
립하고 각각의 회로에 트랜지스터에 열을 가했을때 발생한 전압의 변화량을 관
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회로는 재생시에 CR회로를 넣어서 보상한다.
3. 주파수(Hz)에 따른 입출력 전압의 크기 비 이론값
주파수
(KHz)
2
5
10
차단주파수
13.262
30
50
70
90
0.149
0.352
0.602
0.707
0.914
0.967
0.983
0.989
3. 참고문헌
- 전기 전자 기초 실험 (포인트)
- 전자 공학 기초 실
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기초전기전자실험 (송재주. 한올출판사. 2000)
-기초전기전자공학 (플로이드, 토마스, 청문각, 1998)
-전기공학 기초 (동일출판사, 김진수외 1998)
-전기/전자 일반 (일진사, 허규성, 1999)
-전기전자기초실습 (신광문화사, 안전관리연구회편, 1999)
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회로 구동에 무리가 가지 않도록 한다.
- 실험 도중 LED가 손상되었는데, 이는 LED가 받아들일 수 있는 이상의 전류가 걸려 견디지 못하고 손상된 것으로 판단된다. 1. 실험 목적
2. 실험 장비
3. 이론 개요
4. 실험 순서
(1) LED 특성
(2)
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기초 실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm 1. 다이오드
(1) n 형 반도체와 p 형 반도체
(2) pn 접합과 정류 회로
(3) 다이오드의 전류 전압 특성
(4) 다이오드의 용
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(5) 실험 회로의 저항을 330[Ω], 470[Ω], 1.2[Ω]으로 바꾸고, 각 저항에 걸린 전압을 측정하여 표에 기록하라.
(6) 멀티미터를 전류 측정 모드로 설정하고, 전류 I를 측정하여 표에 기록하라. 1. 실험 목적
2. 기초 이론
3. 실험 방법
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