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을 구할 수 있었습니다.
세 번째 실험에서는 <그림 7.17>과 같이 회로를 구성한 후 저항 값을 점점 증가시켰을 때의 전류 값과 전압 값을 알아보는 실험이었습니다. 이때 이라는 식에서 의 값이 점차 증가하여 무한대에 가까울 때 전압원의
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실험 화면을 보면 값이 움직이는 것을 더 명확하게 볼 수 있었습니다.
실험 (3)은 JK플립플롭을 이용하여 쉬프트레지스터를 구현한 것인데, ABCD 1011의 값을 넣고 S0의 출력결과를 보면, D->C->B->A->D 순으로 값이 옮겨지는 것을 확인할 수
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실험 결과에서 본 CMOS의 TTL interface의 원리를 설명하라.
⇒ 시스템에 interface을 한다는 것은 회로의 출력을 다른 전기적 특성을 갖는 시스템이나 회로의 입력에 연결하는 것을 말한다. CMOS와 TTL을 interface하여 사용하는 이유는 CMOS와 TTL은 서로
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회로는 처음 D입력이 0일 때, 변화하는 CLK 값에 따라 달라지는 Q값을 관찰하고, D입력이 1일 경우에 대해서도 변화하는 결과 값을 고려하여 진리표를 작성하고 실험을 하여 결과값을 이끌어 낼 수 있었습니다.
실험 (6)은 SN7474 소자 (D 플립플롭)
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실험을 하였다.
저항과 캐패시터는 저항 값과 캐패시터 용량을 표시하는 방법이 달랐는데 저항은 색 띠를 이용하여 저항 값을 나타냈고, 커패시터는 3자리 숫자를 표기하여 용량을 나타내었다.
실제로 각 10개의 저항 2종류와 각 10개의 캐패시
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실험은 NOT, OR, AND 게이트, NAND, NOR, Exclusive-OR 게이트의 논리함수 개념과 Gate의 구조 및 기능에 대해 알아보고 측정하는 실험과 부울 함수를 이용한 논리회로의 표현방식을 익히고 구현해보는 실험을 하였습니다.
각 Gate 마다 쓰여 있는 숫자가
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체적으로 회로가 너무 복잡해서 회로를 구성하는데 시간이 오래 걸리고 오류도 많이 발생하였습니다. 특히 브레드보드에 문제가 있는 부분에서 실험을 하기도 했고 파워서플라이와 연결하는 선에 문제가 있어서 결과가 제대로 나타나지 않
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때 TM기 모드가 활성화되어 외부 디바이스에서 아날로그 신호를 얻을 수 있습니다.
이번 실험은 실험 (4)와 실험 (5) 모두 결과 값이 이론값과 비슷하게 나왔습니다. 이론값은 실험부분의 표 아래에 적어두었습니다. 실험
비고 및 고찰
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206V로 이론값과 매우 유사한 값이 나왔습니다.
네 번째 실험은 연산증폭기를 비반전 증폭기로 이용한 실험이었고 공식을 이용하여 이론값 35V=15V를 구할 수 있고, 측정값도 14.260V로 유사한 값이 나왔습니다.
다섯 번째 실험은 연산증폭기를 이
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크기가 달랐다.
=>직류 전원 장치의 출력값이 소수 첫째자리까지밖에 표시되지 않는다. 더 미세한 전압을 표현하는 직류 전원 장치를 사용하면 오차를 줄일 수 있을 것이다. 기초회로실험 옴의법칙 (예비)
옴의법칙_결과보고서
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