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회로 상에서 직접 해보는 것도 좋은 방법이다. 실험 목표
<실험 1>
<실험 2>
사용 부품
<실험 1>
<실험 2>
관련이론
1. 불 대수(Boolean algebar)
2. 논리 게이트
3. 드 모르간의 정리
<드모르간의 제 1정리>
<드모르간의 제 2정리>
* 출처
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출력된다. · 진리표A
B
D0
D1
D2
D3
0
0
1
0
0
0
0
1
0
1
0
0
1
0
0
0
1
0
1
1
0
0
0
1
실험 2. PSpice나 Quartus II를 이용해 시뮬레이션을 위한 회로 구성에 힘든 점이 있어 진리표로 시뮬레이션 값 대체함. 1. 실험 이론
2. 문제
3. 실험 방법
4. 시뮬레이션
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논리장치의 구조에 대해 요약 기술하여라.
74LS04 : NOT Gate가 6개 내장된 IC
74LS08 : AND Gate가 4개 내장된 IC
74LS32 : OR Gate가 4개 내장된 IC
74LS02 : NOR Gate가 4개 내장된 IC
74LS86 : Exclusive-OR Gate가 4개 내장된 IC
실험
(1) SN7408로 회로를 결선하고, 1)B=0,
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때 TM기 모드가 활성화되어 외부 디바이스에서 아날로그 신호를 얻을 수 있습니다.
이번 실험은 실험 (4)와 실험 (5) 모두 결과 값이 이론값과 비슷하게 나왔습니다. 이론값은 실험부분의 표 아래에 적어두었습니다. 실험
비고 및 고찰
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실험에서 그래프가 불규칙하게 나온 것은 소자들의 오작동이나 연결이 제대로 안되었기 때문에 그랬을 가능성이 있다. 1. 실험결과
실험 1. 디지털 바이트 패턴 표현하기
실험 2. 555 디지털 클럭 회로
실험 3. LabVIEW 논리 상태 분석장치
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논리와)컴퓨터설계 Mano, M. Morris 교보문고
(공학도를 위한 알기쉬운)디지털공학 이재수 한올
(디지털)논리 회로설계 이상부 정일
인터넷 사이트
http://user.chollian.net/%7Ewow7/electro/basciff/basciff.htm
http://user.chollian.net/%7Ewow7/electro/RSFF/RSFF.htm
http://www
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실험 9 Detection/Protection Circuit 실험
◎ 결과 보고서
실험 1
1-3 : V=8V ,, I=V/R=4.7/19=0.25[A]
1-4 : 전류는 더 많이 흐르고 제너전압이 더 빨리 도달
특정 전류 3)을 확인 V=6V ,, 2V더 빨리 도달
D(4.7v)가 5V로 상승 ( 실험결과 )
2-3 : 시작점 : 22.4V ,, 끝점 : 30V
3-
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실험 (2)의 회로의 구성에 대한 패턴도를 완성하시오
9. 본 실험을 하면서 나름대로 배운점을 쓰시오.
오픈 컬렉터의 의미, 3-상태 버퍼/인버터 특성, 논리 게이트의 지연시간 특성에 대해서 알 수 있었다. ｢실험 4｣X-OR, X-NOR 게이트
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듯 하다. 따라서 이번 실험의 회로도와 실험결과의 일치로 인해 이 회로도와 실험의 결과는 참이라는 것을 알 수가 있다. ＿
수고하셨습니다＿ 1.bcd 10진 엔코더(Encorder)
2.7 - 세그먼트 디스플레이 (7 - Segment Display)
3.SR 래치(SR Rach)
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실험을 그나마 수월하게 할 수 있었다. 하지만, 칩셋 1～2개로 실험하는 것도 이제 얼마 안 가서는 머리에 쥐가 날 정도로 회로를 만들어야 한다는 압박도 가해져 왔다. -_-;
2. 실험의 결과값은 정확히 출력되었는가?
예상값과 같게 출력 되었다
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