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실험이었다. V2의 전원을 제거하니 회로는 간단해졌다. 전류가 R1을 지나서 R2와 R3로 갈라지는 모양이었다. 그러므로 R2와 R3 사이의 관계는 병렬이고, R1과 R2,R3의 합성저항 과의 관계는 직렬이된다. 측정값을 비교해 보았는데 이처럼 나왔다. 전
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(5) 10[mA] 전류원에 100[Ω]을 연결하였더니 이 저항에 9.99[mA]가 흘렀고, 1[㏀]의 저항을 연결하였더니 9.9[mA]의 전류가 이 저항에 흘렀다고 하면 전류의 내부 저항은 얼마인가?
풀이=>
, , , Ω
, , . 1. 실험 목적
2. 내용 정리
3. 예비과제
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실험은 다이오드의 반파, 전파 및 브리지 정류회로에 관한 실험으로 실험 1장에서의 다이오드의 순방향 바이어스 전류 통과 특성을 이용하여 결과 값을 도출해 내는 실험이다. 먼저 첫 번째 실험 반파 정류회로의 결과를 보면 교류의 입력 전
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실험 결과에 계속 작용했다고 생각할 수 있다. 오차의 원인에서 그 원인을 알아보자.
=> 단자 a와 b에 단락용 도선을 연결하고, 단락회로 a-b점 사이에 흐르는 전류를 측정하라.
단락시키면 저항 로는 전류가 흐르지 않는다.
= = 6 / 1470 = 0.00408mA
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실험결과분석 : 555timer를 이용하여 PWM 파형을 볼 수 있었던 실험이였다.
이 실험은 주기와 Duty Ratio, 캐패시터만 설정하면 회로에 쓰이는 R_a,R_b를 계산식으로 구할 수 있다. 실험을 하면서 설정한 값들은 다음과 같다.
≪ … 중 략 … ≫
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실험.NMOS 증폭기
1.Orcad 결과
<공통 - 소스 증폭기>
1) 입력 및 출력 전압 파형
-회로-
-파형-
2) 입력 저항 측정
-회로-
-파형-
3) 출력 저항 측정
-회로-
-파형-
<공통 - 게이트 증폭기>
1) 입력 및 출력 전압 파형
-회로-
-파형-
2) 입력 저항 측
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실험결과분석 :
≪ 표 - 그림 파일 ≫
기본 회로를 구성하고 각각의 point에서의 파형과 output의 파형을 찍어 위상차가 얼마나 발생하였는지 구해 보았다. 첫 번째 TP1에서는 파형을 통해 구한 위상차는
69.545° 이론값을 이용하요 구
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실험결과
1) 실험 1 : 맥박 측정기(Hardware)
≪ 사 진 ≫
≪ 그 래 프 ≫ ≪ 그 래 프 ≫
≪ 그 래 프 ≫ ≪ 그 래 프 ≫
실험결과분석 : 회로도는 센서부 -> 2차 HPF -> 2차 LPF -> 증폭기(911배) -> 2차 HPF ->
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실험. BJT 차동 증폭기
1.Orcad 결과
<차동쌍의 컬렉터 전류 대 차동 입력 전압 특성>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 차동 출력 전압 대 차동 입력 전압 특성>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 입력 및 출력 전압 파형>
-회로-
-파형-
<차동쌍의 입력
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실험은 증가형 MOFET의 단자 특성과 바이어싱에 관한 실험이었다.
MOSFET는 Metal - Oxide - silicon field - effect transistor(금속 -산화물 - 반도체 전라 접합 트랜지스터)로써, MOSFET는 특히 단일 실리콘에 제조되는 회로인 집적 회로의 설계에 가장 널리 사
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