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D, T, RS 등등이 있듯이, 데이터 기억, 데이터 토글, 데이터 기록, 삭제 등등에 사용될 수 있다. 그리고 F/F는 어떻게 조합하느냐에 따라 다양한 기능을 수행할 수 있다. 1. 목 적
2. 실험 준비물
3. 설계실습 계획서
* 래치와 플립플롭 이론
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회로 내부의 저항과 실험자의 부주의에 의해 발생하였음을 확인 할 수 있다. 하지만 그림 5.1에 서 보듯이, 이론값과 측정값사이에 거의 차이가 없음을 확인할 수 있다.
⑵ KVL을 증명하시오.
측정된 (Total Voltage) VT를 각각 3회에 걸쳐 측정하였다
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성명 :
학번 :
실험일:
실험 47. 리액턴스회로의 주파수 응답
1. 실험 목적
표 47-2. RL회로에서의 주파수응답
Frequency
, KHz
Applied Voltage V,
Voltage Across R ,
Circuit Current (Calc.) I, mA
Circuit Imped (Calc.)
Z,
1
10
10
3
3333
5
10
7.8
2.36
4237
9
10
5.2
1.58
6329
표 47-3. RC
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회로에 사용되지 못하도록 부셔버려야 한다.
모든 회로에는 +5V의 전원 전압과 GND로 또는 논리적으로 같은 입력끼리 묶어야 하며 preset, preclear, enable, inhibit와 다른 입력 핀들도 적절히 연결되어야 한다. IC를 이용할 때 package당 게이트가 몇 개
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결 실험: 두 개의 커패시터를 병렬로 연결한 회로를 설정한 후. 다시 한 번 측정 도구를 사용하여 전체 커패시턴스 및 전압을 측정한다.
2. 주파수에 따른 Xc의 변화 실험:
커패시터를 회로에 연결하고, Xc(커패시터의 리액턴스) 값을 주파수에
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실험 하였는데, 실험 방법은 브레드 보드에 회로를 설치하여, 파워 서플라이로 전압을 공급해주고, DMM으로 (1KΩ)저항에 대한 전압을(VR)을 측정하면서, 각 전압에 따른 다이오드데 대한 전압(VD)값을 측정하였고, 실제 저항값과 전압에 대한 ID
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실험 2 키르히호프의 전류 법칙과 전압 법칙 그리고 옴의 법칙 10
실험 3 저항기들의 직렬, 병렬, 그리고 직-병렬 접속 15
실험 4 전압-분배 및 전류-분배의 공식 20
실험 5 브리지 회로 24
실험 6 중첩의 원리 27
실험 7 테브
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법칙과 키르히호프법칙의 사용이 필요할 수도 있다.
노튼 저항 RN은 앞의 실험에서 테브닌 저항을 구할 때 사용했던 방법을 이용하여 다음과 같은 과정으로 구한다. 본래의 회로망에서 부하를 개방한다. 모든 전압원은 단락 시키고 내부저항
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실험결과에서 보면 표55-1 고대역필터의 차단주파수 fc = 1/2πfC으로 7234Hz이다. 이 주파수를 기준으로 주파수가 커지면 저항에 걸리는 출력쪽의 전압은 점점 커진다. 그리고 전압 입력에 대한 출력의 비 역시 커졌다.
저대역필터에서는 RC회로였
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및 부품
직류 전원 공급 장치
함수 발생기
오실로스코프
디지털 멀티 미터
트랜지스터 : 2SC1815 (1개)
저항 1kΩ, 2Ω, 2.7kΩ, 3.9kΩ, 4.7kΩ, 5.6kΩ
커패시터 : 47μF (전해, 3개)
4. 실험 방법
4.1 이미터 접지 증폭 회로
1) 실험 회로 12-1의 회로를 구성
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