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전문지식 197건

재료의 종류와 특성 3. 절연 ․ 유전재료로서 요구되는 성질 3.1 전기적 특성 3.2 열적 특성 3.3 기계적 특성 3.4 물리 ․ 화학적 특성 4. 유 전 특 성 5. 절 연 파 괴 6. 열화현상 및 원인 7. 절연재료의 수명과 허용온도 8.
  • 페이지 29페이지
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  • 등록일 2011.03.16
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 없음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
. 제품 개요 TFT LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display) - 박막 트랜지스터 액정표시장치라 함 TFT LCD Panel 구성 - Panel : 두개의 얇은 glass 사이에 액정 crystal로 채워짐 - Driving Unit : 각종 회로 및 LCD 구동 IC가 장착된 PCB - Chassis :
  • 페이지 43페이지
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  • 등록일 2012.10.17
  • 파일종류 피피티(ppt)
  • 참고문헌 없음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
2-1.박막제작방법 2-2. 물리적 증착법 (PVD, Physical Vapor Deposition) 2-3.진공 증착법(Vacuum Evaporation) 2-4. 피복층 조직 2-5. 진공 증착법의 특징 2-6. 적용 범위 및 응용 3.실험장치 및 시약 4. 실험방법 4. 분석 5. 결과 및 토의
  • 페이지 11페이지
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  • 등록일 2011.11.06
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 없음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
트랜지스터 안테나의 바아 안테나(그림11) : 바아 안테나의 자심 재료에는 페라이트를 사용한다. 페라이트는 산화철과 금속 산화물의 화합물을 성형 소결한 것으로 고주파에서의 손실이 적은 장점이 있다. 바아 안테나의 코일에는 가느다란
  • 페이지 7페이지
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  • 등록일 2011.11.08
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 없음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
실험실에서의 전압과 전류측정에 있어서 디지털 계기에 비해 아날로그 계기가 갖는 장점은 어떤 것들이 있는가? - 먼저 DMM의 경우 측정을 위하여 계기에 전원을 공급해줘야 한다 그러나 VOM의 경우에는 자체적으로 해결이 가능하여 계기에 별
  • 페이지 9페이지
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  • 등록일 2010.04.19
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 없음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
트랜지스터의 사용 방법과 스위칭 기능 (1) NPN TR과 PNP TR 의 스위칭 동작 실험 (2) TR을 이용한 LED의 직병렬 점등 (3) TR을 이용한 LED 밝기 조절 2. 발진회로를 이용한 LED의 윙커 (1) 555 발진타이머 IC를 이용한 LED 윙커 회로 제작 (2) 써클스
  • 페이지 56페이지
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  • 등록일 2010.02.22
  • 파일종류 아크로벳(pdf)
  • 참고문헌 없음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
ⅱ. 참고문헌 ------------------------------------------------------------8 표, 그래프, 그림 및 사진 ◎그림 1 CUBLOC LCD 화면 ◎그림 2 CUBLOC 키트 ◎그림 3 트랜지스터 ◎그림 4 트랜지스터의 원리 ◎그림 5 색에 따른 저항값의 변화
  • 페이지 8페이지
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  • 등록일 2011.04.14
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 없음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
디스플레이이다. OLED는 1963년 Pope에 의해 유기물인 안트라센 단결정에서 처음 발견한 이래 1987년 저분자 유 기재료를 이용하여 50nm 두께의 진공 증착막을 2층 적층한 구조의 고휘도, 고효율 소자를 만들면 서부터 본격적인 상품화를 위한 연구
  • 페이지 12페이지
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  • 등록일 2009.04.05
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 없음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
트랜지스터를 설계하는 것을 다음의 목표로 정하였다. 이 트랜지스터를 이용하면 오늘날의 최첨단 칩보다 1천배나 강력한 컴퓨터 칩을 만드는 것이 가능하다. 세계에서 가장 작은 화학공장 나노 반응기 세계에서 가장 작은 화학공장은 사람
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  • 등록일 2010.05.15
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 없음
  • 최근 2주 판매 이력 없음
실험 목적 [실험 장비 및 재료] [기초이론] (1) 증가형 MOS-FET ● 감소형과 증가형 (2) 공핍형 MOS-FET (3) JFET의 바이어스 1) 자기 바이어스 2) 게이트-소스 전압 3) 자기 바이어스선 4) 소스 저항 효과 (4) 전압분배기와 소스 바이어스 1)
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  • 등록일 2010.06.21
  • 파일종류 한글(hwp)
  • 참고문헌 없음
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