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분광기를 제작 하였다. 이러한 공정은 전자빔 리소그래피(e-beam lithography)나 포토리소그래피(photo-lithography) 방식에 비해 시스템구성이 간단한 장점이 있다.
반응성 이온 식각공정을 위한 패턴 형상, 즉, 최저면에서 실리콘 웨이퍼의 면이 드러
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의 흡수 스펙트럼 영역 사이에 중복되는 영역이 존재하며, 첨가제는 기판과 상기 발광층 사이의 접착력을 향상시키고 상기 2종 이상의 발광 고분자들 간의 점착력을 떨어뜨려 전사 공정 후 분리를 용이하게 하고, 광학적으로 비활성이거나 전
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