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특성곡선을 나타내기 위해 오실로스코프 X-Y모드 출력파형을 이용하였고 그 결과 Si의 동작점이 Ge의 동작점보다 크다는 결과를 얻게 되었다. 이러한 결과값의 이유는 Si와 Ge의 재료의 성질이 서로 다르기 때문에 각 장벽의 전압이 서로 다르다
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실험기구
직류 전원 (6 V, 60 V, DC)
저항 (33 , 33 k , 2 W), 가변저항 (25 k , 2 W)
다이오우드 (1N100 [Ge diode], 1N914 [Si diode])
Multimeter (2 개)
4. 실험 방법
(1) 다이오우드의 순방향 전류-전압 특성
1) 그림 6의 회로를 만들되, Si 다이오우드를 사용하시오. 다
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GaAsP(gallium arsenide phosphide) LED : red or yellow
GaP(gallium phosphide) LED : red or green
TIL221 red, TIL222 green 전자회로1실험
<실험결과보고서>
실험목적
이론적 배경(원리 및 관련이론)
실험절차 및 방법
실험결과
결론 및 검토
참고문헌
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, 그 크기는 제너 전압과 같게 된다.
참고문헌
일렉트로닉스 : MALVINO : 대영사
신회로이론 : 박송배 저 : 문운당
일반전자공학실험 : 김태중 저 : 상학당 1. 실험일자 :
2. 실험제목 : 실험 #9 Diode 및 Zener diode의 특성
3. 실험결과
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⑦ 표 11-1의 측정값을 이용하여 다이오드의 순방향 및 역방향 전류특성 곡선을 그린다.
3. 실험 장비
전압계
브레드 보드
4. 실험 결과 및 고찰
실험 결과
전류
입력전압
Ge Diode
Si Diode
순방향[]
역방향[]
순방향[]
역방향[]
1V
0.8 mA
0 mA
0.5 mA
0 mA
2V
2
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특성
<표2-2> LED의 대표적인 재료, 파장 및 성장방법
<표3-1> 고휘도 LED 시장 전망
<표3-2> LED 전광판 국내 시장 규모
<표3-3> 휴대폰용 LED 시장 추정
<표3-4> LCD패널에서 대형화에 따른 BLU의 가격 비율 증가
<표3-5> 32인치 기준 CCFL vs LED 백라이트
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제너다이오드가 역전압을 견디지 못하고 covalent bond가 깨져버리기 때문에 순간적으로 역방향에 전류가 크게 흐르게 되는 것이다. 실험주차
실험목적
실험개요
이론적 배경
1. PN Diode
2. Zener Diode
실험방법
토의/고찰
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실험목적
Ⅱ. 실험장비
Ⅲ. 실험방법 및 순서
Ⅳ. 실험결과
Ⅴ. 토의 및 분석
Ⅵ. 참고문헌
Ⅰ. 실험목적
실험목적은 AMOLED 패널의 물리적 및 광학적 특성을 분석하는 데 있다. AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode) 기술은 전통
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실험결과
1) 사전 보고서의 내용
≪ 글 - 그림 파일 ≫
(a) Ideal Diode Model을 사용했을 때
입력 전압을 5V DC로 주었으므로 다이오드는 순방향 바이어스가 됨. 즉, Diode는 ideal한 상태에서 short 상태가 된다. 따라서 이때 다이
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실험결과
실험 1. Half-Wave Rectifier
≪ 그 림 ≫
[1-1] C가 없을 때 입력 정현파와 출력 파형을 측정하여 비교하시오.
≪ 그 림 ≫
C가 없을 때의 회로이므로 사전 보고서를 작성 할 때 시뮬레이션 했던 왼쪽 그
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