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vin), 출력전압(vout)의 파형을 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결과의 적절성을 보여라. Vsig의 Peak to peak는 10mV, freq는 1kHz로 설정하고, 두 주기의 입출력 파형이 출력되도록 설정하시오. Run to time =
(단, 트랜지스터의 제조사에 따라 실제 증폭율
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Chapter 1. 관련 이론(Theoretical Background
① Thevenin's theorem
회로이론에서는 테브난 등가회로는 두 개의 단자를 포함한 전압원, 전류원, 저항의 어떤 조합도 하나의 전압원과 하나의 직렬저항으로 변환시켜 전기적 등가를 설명했다. 교류시스템
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Chapter 1. 관련 이론(Theoretical Background)
◎ 연산 증폭기 (Operational Amplifier)
그림1.a - 이중 연산 증폭기 그림1.b - 연산 증폭기
연산 증폭기는 집적회로(IC) 칩이며 하나의 작은 패키지 형태로 되어 있는데 25개의 트랜지스터와 12개의 저항이
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회로를 구성하면 위의 그림과 같이 구성할수 있다. 그리고 각 저항에 흐르는 전력을 계산해 보았으나 모두다 용량을 초과 하는 것이 없으므로 과도한 열이 발생하는 일은 없을것이라 생각된다. 1. 목적
2. 실험준비물
3. 실험계획서
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레인 궤환 Bias가 사용된다.
여기서 드레인 궤환 바이어스 회로는 입력 전류 이 되므로 에 전압도 0이 되 기 때문에 는 가 되어 큰 전압( 이상 전압)을 얻을 수 있는 EMOSFET 용 바이어스 회로이다.
※ DC 해석
① : 입력전류 이므로 저항에 전압이 0
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실험 1. 다이오드 특성 및 반파 정류회로 실험
1. 실험 목적
반도체 다이오드의 특성을 실험적으로 구하고 다이오드 응용 회로인 반파정류회로의 동작 원리 및 출력 파형을 관찰하고 측정한다.
2. 실험 원리
① 다이오드 전압-전류 특성
다이오
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회로가 복잡하다
자기 바이어스 - 비교적 간략한 회로, 게이트 바이어스보다는 안정하지만 전압분배기 바이어스 처럼 안정하지 않다.
전압 분배 바이어스가 자기 바이어스에 비해 좋은 장점은 Q점이 가장 안전하다는 것이다.
3) JFET 전압 분배
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회로에 연결되고, 출력이 소스로부터 얻 어지므로 이 회로의 출력특성이 매우 다르다. 출력 임피던스는 비교적 낮고, 전압이득 은 1보다 작다. 전압증폭이 요구되는 곳에서는 이런 구성방법이 사용되지 않으며, 위상 관계는 동상이다.
3)CG증폭
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이번 실험에서는 먼저 달링턴 회로를 구성하고 회로의 입/출력 임피던스와 전압이득을 구한다.
캐스코드 회로를 구현하고 Q1 과 Q2의 전압이득, 전체 전압이득을 구한다.
측정된 실험값을 바탕으로 계산된 값과, 시뮬레이션상의 이론 값을 비
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높은 전압, 전류 이득 특성을 가지는 증폭기다. 출력은 입력에서 위상이 반전되어 나오게 되고 이 교류 신호의 전압 이득은 Av=Vo/Vi이 되고 이 때, 전압값들은 둘 다 실효값, 피크값, 피크-피크값이 될 수 있다. C1과 C3는 각각 입력과 출력의 결합
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