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24-2에 기록하라, 또 VGS와 VDS의 값을 측정하여 기록하라. 또 이득을 계산한다.
[예상결과] 24장. MOS-FET 공통 소스 증폭기
실험 목적
[실험 장비 및 재료]
[기초이론]
(1) 증가형 MOS-FET
● 감소형과 증가형
(2) 공핍형 MOS-FET
(3) JFET의 바
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a)의 펄스신호를 가하고 오실로스코프를 사용하여 커패시터의 충전전압 의 파형을 관측하고 그림 18-14의 그래프에 도시하여라.
7. 실험결과
표 18-1 R-C 직렬회로의 전압, 전류의 이론값
●고 찰●
(1) 그림 18-12에 도시된 이론값의 전압파형과 오
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a)와 (b)의 전압계-전류계 법으로 측정하시오.
실 험 결 과 보 고 서
보고자: 학과 및 학년
학 번
이 름
보 고 일 자 :
실험제목 : Multimeter의 사용법과 저항 색채기호의 판별
I. 측정값
(1) 독립된 저항의 측정
표 2. 독립된 저항의 측정
저항번호
1
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실험 방법
(1) 실험 과정
(2) 전기전도도 분석
시편을 전극에 연결한다. 사단자 방법을 이용해 비저항 값을 측정한다. 공식을 이용해 전기 전도도 값을 계산한다.
나. 실험 결과
전류(A)
저항(Ω)
고유저항(Ω·m)
0~0.1
2.80E-04
1.83E-08
0.1~0.2
2.89E-04
1.90E
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실험제목 : 멀티미디어 수업(역학1)
제출일 : 2004년3월31일
이은경 교수님
전자전기컴퓨터공학부
제 6 조
학번,이름: 2004440095 이웅
2004440096 이원규
2004440097 이은구 1.개요
2.사용법
3.실험
☞ 해당 자료는 한글2002로 작성이 되어있
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일반화학 - 경북대학교 출판부
참고자료 :
http://www.chemed4u.net:8281/lecture/lecture14/lecture14-exp-01.html-산화환원적정(과망간산법)
http://user.chollian.net/%7Ejhonny/chemi.htm-분석화학기초 1. 실험목적
2. 이론적 배경
3. 실험 순서
4. 실험 결과
5. 결
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2,199.5 (정격 2,200)에서 파형이 흘러가는 것을 보게 되었다. 이는 오차가 0.5임을 알 수 있고, 이는 오버슈트는 아니지만, 오차범위도 짧아서 만족할 수 있는 설계 결과가 되었다. 1. 설계 목적
2. 서론
3. 단상 인버터 회로
4. 3상 인버터 회로
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실험결과 및 보고서
1) 유량은 에 의해 계산한다.
2) 유속은 에 의해 계산한다.
3) Reynolds 수는 에 의해 계산한다.
Q : 유량(cm/sec)
W : 중량유량 ()
: 비중량(cm)
t : 측정 시간(sec)
V : 유속(sec)
A : 관 단면적(cm) D: 관 내경() : 동 점성계수(cm/sec)
【그림 11-
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= VC/I
Z = V/I
Z =
sqrt{Z_R^2 + (Z_L - Z_C )^2}``
phi ``=``
tan^-1 [(Z_L - Z_C )/ Z_R ]``
II. 토의 사항 1. 목적
2. 이론
(1) Capacitance와 inductance의 물리적 정의
(2) Impedance의 측정과 그 합성
3. 실험기구
4. 실험 방법
(1) RL 회로
(2) RC 회로
(3) RLC 회로
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2) 스위칭 다이오드 : 고속 on/off 특성을 스위칭에 응용
3) 정전압(제너) 다이오드 : 정전압 특성을 전압 안정화에 응용
4) 가변용량 다이오드 : 가변용량 특성을 FM변조 AFC동조에 응용
5) 터널(에사키)다이오드 : 등저항 특성을 마이크로파 발진에
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