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3.1 MOSFET의 특성
3.1.1.
(a) 센서 (무부하 출력: 정현파, 40mVpp, 5 kHz, 10 kΩ 부하: 20 mVpp)의 출력을 증폭하여 10 kΩ 부하에 1.5Vpp 이상의 전압이 걸리도록 아래 회로와 같은 Common source amplifier를 설계하라. 인터넷에서 2N7000의 data sheet를 찾아서 계획
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3.1 Current Source(전류원) 설계
3.1.1 <그림 9.1>과 같은 회로를 이용하여 약 10mA의 전류 (I_O)를 출력하는 전류원을 설계하고자 한다. 단, power supply로는 V_CC=V_DD=10V, V_SS=0V를 사용하며 MOSFET M_2,M_3로는 2N7000 (PSpice 심볼 : 2N7000/FAI)을 사용한다.
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회로를 이용하여 AM복조기를 설계, 제작, 측정하여 가변 커패시터(바리콘)와 안테나, 그리고 audio power amplifier를 사용하여 광석 라디오를 제작하고 방송을 청취하여 그 동작을 확인한다.
2. 실험준비물
Oscilloscope (OSC) : 1대
Function Generator 1대
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3.1 이론부의 ‘MC14007UB’의 Data Sheet를 참고하여, 핀배열, CMOS gate로 회로를 구성할 때의 유의점 등을 설명하여라.
- 먼저 Inverter라는 것이 무엇인지 알고 시작해보자. 간단하게 말해서 Inverter는 직류전력을 교류전력으로 변환하는 장치이다.
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1. 목적
Limiting회로와 Clampling회로를 설계하고 구현, 측정, 평가한다.
2. 준비물
Analog Lab Unit(ALU) 1개
함수발생기 1개
직류전원(power supply) 1개
Oscilloscope(OSC) 1개
Diode : 1N914 또는 KDS160 1개
저항 : 100kΩ 10% 1개, 5kΩ 10% 1개
Capacitor : 1uF 1개
3.
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4. 설계실습 내용 및 분석
4.1 설계실습계획서의 3.1.1에서 설계한 <그림 10.1> 회로를 구현하고, M_1과 M_2 각각의 drain current, gate-source voltage, drain-source voltage를 각각 측정하라.
M_1과 M_2의 동작영역은?
- DMM을 통하여 설계한 회로에서 직접
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결과 프로브의 문제였는데, 결국 회로를 측정할 때 프로브대신 집게선을 사용하여 측정하였다. 실험을 할 때 캐패시터와 인덕터의 정확한 값을 측정할 수 없어 이론값으로 대체하여 결과를 작성하였다. 오차는 별로 나지 않을 것이라 생각한
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7-2]의 회로에 중첩의 원리를 적용하여, V, V, V와 I, I, I를 각각 구하라, 이를 위해 전원 V가 단락되었을 때와 전원 V이 단락되었을 때의 회로를 각각 구하라.
3.2 [그림 7-3]의 회로에 대해 3.1를 반복하라. 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 문제풀이
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는 저항값을 구하는 실험이었는데 실험결과 첫 번째는 R과 R이 같을 때 R에 걸리는 전력의 값은 전압원에서의 나오는 전력의 절반이라는 것을 확인하였다.
두번째는 가변 저항이 있는 회로에서 어떠한 상황일 때 가변 저항에 최대 전력이 전송
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실험 5.3에서 5로 실험했을 때의 실험값을 이용하면 (1.72) = (1.01)+(0.71) 가 성립됨을 알 수 있다. 이 실험은 오차0으로 결과값이 만족스러운 실험이었고 구간과 , 두 구간의 합이 들어온 총 전류값과 같다는 사실 또한 알 수 있었다.
저항의 전압
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