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실험
위의실험에 축전기 100마이크로패럿을 추가하여 실험
위의실험에 10옴의 저항을 추가하여 실험
위 실험들을 330마이크로패럿으로 교체하여 또실험 1.실험 목적
2. 배경 이론
3. 실험준비물
4. 실험방법
5. 결과 그래프
6. 결과 분석
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명명된다. 그런데 괄호 안의 로마숫자는 사실상 이온의 전하가 아니라 산화수를 나타낸다. 1. 실험방법
2. 실험결과
3. 논의 및 고찰
<레포트 2>
Quiz 산화수
1. 산화수의 정의
2. 산화수 계산
3. 산화수를 이용한 화합물의 명명
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실험실 http://imal.cnu.ac.kr
-서울대학교 컴퓨터 전자공학부 nml.snu.ac.kr
-목원대학교 전자공학과 홈페이지
-<박막 프로세스의 기초> ,김원찬 저 ,피어슨에듀코리아, 2000년 1.박막공정
1.1. 박막공정의 정의
1.2. 박막공정의 과정
2. 세척
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전기와 R=220인 저항을 직렬로 연결한 회로가 최대 충전량의 절반까지 충전되는데 걸리는 시간은 얼마인가?
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(3)위 회로가 방전될 때 최대 충전량의 로 방전되는데 걸리는 시간을 계산하라
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(4)위 회로를 이용하여 정류회로를 만든다면 초 동안
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회로의 구성 및 이론등을 배울 수 있었다. 멀티미터가 지시하는 값이
일정하지 않아서 오실로스코프에 나타나는 파형을 기준으로 최대입력값을 7.5V로 잡고
실험을 진행했다. 기계공학을 전공하는 학생으로서 전자 및 전기실험은 여간 부담
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공핍층이 점점 넓어진다.
표면누설전류
역방항으로 바이어스된 다이오드에는 결정의 표면을 흐르는 미소전류가 흐르며 이것을 표면 누설 전류라고 하며 이것은 표면의 불순물과 결정구조의 결함 1. 실험 제목
2. 실험 목적
3. 준비물
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전자대(valence band).
(ii) 전도대(Conduction band)
(iii) Pauli의 배타원리(Pauli's exclusion principle)
(iv) 공유결합
(v) 반송자(carrier)
(vi) 부피저항(bulk resistance)
(2) 반도체소자에는 어떤 것들이 있는지 분류하여 간단히 설명하라.
(4) 그림 7, 8의 회로도에
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실험 조건
① 입력 전압은 +-10V로 한다.
② 펑션 제너레이터로 10K Hz의 신호를 입력한다.
③ 반전 증폭기로 -1, -2 배의 출력값을 나타낸다.
④ 비반전 증폭기로 2, 3 배의 출력값을 나타낸다.
<파워 서플라이>
<OP AMP 회로>
3. 실험 결과
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전기량(Q) = 전류의 세기(i) × 시간(t)
2) 1F : 전자 1몰의 전기량으로 96500 C의 전기량과 같다.
1F = 전자 1몰의 전기량 = 전자 1개의 전기량 × 아보가드로수
= 1.602 × 10-19C × 6.02 ×1023
= 96500 C
2) 전자기유도 법칙
: 전자기유도에 의해 회로 내에 유발되
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회로 동작을 이해하도록 하라. [그림 5.2]의 회로를 실험하고자 할 때, 절연 변압기가 왜 필요한지를 설명하라.
▶절연 변압기를 사용하지 않으면 22V/60Hz 전원측과 정류회로를 전기적으로 격리시키지 못한다. 즉 220V/60Hz 전원측의 접지와 정류회
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