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전기전자쪽이 아니라 이번 실험이 앞으로의 전공 공부에 도움을 줄 수 있을 것 같다고 생각하였다. 하지만 보고서를 쓰면서 인터넷을 많이 찾아본 결과 일상생활에서는 많이 볼 수 있는 현상이었다. 대표적으로 음향기기, 라디오, 무선전화기
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전기전자쪽이 아니라 이번 실험이 앞으로의 전공 공부에 도움을 줄 수 있을 것 같다고 생각하였다. 하지만 보고서를 쓰면서 인터넷을 많이 찾아본 결과 일상생활에서는 많이 볼 수 있는 현상이었다. 대표적으로 음향기기, 라디오, 무선전화기
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실험에서 함수발생기를 1Khz Vsin=20mV 로 계산하라고 표시 되어 있는데,
실제 함수발생기를 1khz를 넣고 Vsin을 측정하니 20mV보다 훨씬 큰 값이 나왔다.
그래서, 3K옴 두개를 이용, 전압분배를 한 뒤 실험을 시작하였다.
* 처음에는 20mV보다 큰 전압
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실험 목적
[실험 장비 및 재료]
[기초이론]
(1) 증가형 MOS-FET
● 감소형과 증가형
(2) 공핍형 MOS-FET
(3) JFET의 바이어스
1) 자기 바이어스
2) 게이트-소스 전압
3) 자기 바이어스선
4) 소스 저항 효과
(4) 전압분배기와 소스 바이어스
1)
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실험을 통해 직접 다이오드의 성질을 이해하였다. 예비보고서를 작성하지 않았기에 결과보고서를 쓰면서 다이오드의 종류에 대해 공부 및 조사를 해보았다.
1. 제너 다이오드(Zener Diode)
순방향 바이어스 특성 및 항복전압에 이르기 전까지의
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전압을 측정해야한다.)
4. 전압을 측정하자.
5. 실험 결과로부터 AgCl 의 Ksp 값을 구해보고 문헌 값과 비교해 보자. <결과레포트>
1. Abstract & Introduction
2. Data & Results
3. Discussion
4. Reference
<예비보고서>
1. 목적과 원리
2. 시약 조사 및 실험
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전압을 걸어야 한다. 그런데 일정수준 이
하로 전압을 낮추면 반도체 내에서 신호를 실어 나르는 전자의 흐름을 마음대
로 통제할 수 없게 된다. 다시 말하면 트랜지스터를 만드는 데 쓰는 반도체(실
리콘)는 특정 크기 이하로 작아지면 전기
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전압을 걸어야 한다. 그런데 일정수준 이하로 전압을 낮추면 반도
체 내에서 신호를 실어 나르는 전자의 흐름을 마음대로 통제할 수 없게 된다.
다시 말하면 트랜지스터를 만드는 데 쓰는 반도체(실리콘)는 특정 크기 이하로 작아지면
전기
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실험?실습 교수?학습 방법
6) 견학
7) 지도학습
Ⅵ. 기술가정과(기술가정교육)의 평가
1. 평가상의 유의점
2. 평가방법
1) 서술형 및 논술형 검사
2) 찬반 토론법
3) 실험?실습법
4) 관찰법
5) 연구(조사)보고서법
6) 포트폴리오(portfolio) 평
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수 있다. 위의 순번대로 조립하면 ① a11×x11 ② a12×x21 ③ a21×x11 ④ a22×x21 순서로 곱한 것을 더해주면 4 단자망에서 이미 살펴 본 것과 같은 방정식을 얻는다.
이 되어 왼편항과 오른편항의 행렬이 같다고 하면 식은 아래와 같이 된다.
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