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1. 실험제목
N-Channel MOSFET 전류/전압 특성 측정
2. 실험목적
N-Channel MOSFET을 기판에 납땜하고, 그를 이용하여 N-Channel MOSFET의 전류/전압특성을 측정한다.
3. 실험장치
- FDC6329L (MOSFET 소자)
- Function Generator, Power Supply
- Oscilloscope
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1. 실험제목
MOSFET Circuit – Basic MOSFET Circuit
2. 실험목적
- MOSFET이 어떤 소자인지 알아보고 기본적인 동작 특성을 이해한다.
- N-Channel MOSFET의 전류/전압 특성을 관찰한다.
- Invertor를 구현하고 그 특성을 관찰한다.
3. 실험장치
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실험결과
실험 1. Half-Wave Rectifier
≪ 그 림 ≫
[1-1] C가 없을 때 입력 정현파와 출력 파형을 측정하여 비교하시오.
≪ 그 림 ≫
C가 없을 때의 회로이므로 사전 보고서를 작성 할 때 시뮬레이션 했던 왼쪽 그
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르는 전류는 공급된 전체 전류 로부터 나누어지는데,
각 소자로 흐르는 전류 는 , 이므로,
전체 전류 는 다음과 같다.
,
, 여기서 이 결과는 전류 훼이저도와 같음을 보여준다.
(3) 실험 (5)의 절차에서 : 개방, : 단락, : 단락시킨 상태에서 전류
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1. 실험 목적
전기-전자 회로를 구성하는 기본 소자인 저항, 인덕터, 커패시터에 대한 전압과 전류 사이의 관계 및
위상 개념을 파악하고, 각 소자의 전기적 특성을 이해한다. 2. 실험 이론
(1) 저항(R) 회로
저항은 전류의 흐름을 방해하며
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Vm / Rm 이므로,
V값을 유도하면,
V = Vm(1 + Rs / Rm)
즉, 전압계의 최대 측정 범위의 Vm의 (1+ Rs/Rm) 배의 전압까지 측정할 수 있으며,
여러 개의 Rs를 선택 사용함으로써 측정범위가 다른 몇 개의 전압계 구실을 한계의 전압계로 할 수 있다.
(계기의
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데,
220V를 정류할 때 발생하는 120Hz 의 교류성분의 일부가 직류출력으로 나오게
됩니다. 여기서, ripple percentage는 그 교류성분의 발생률을 의미합니다.
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은 최대값이 되는데, 주파수곡선 최대값의 70.7%, 즉 전류가 가 되는 지점의 주파수를 , 로 나타내며,
이것을 반전력점이라 한다. 또한 이 주파수의 간격 즉, 를 주파수 폭(BandWidth:BW)이라 하며
주파수 폭은 다음의 두 가지 방법으로 나타낸다.
,
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- v5 + v4 - v3 - v2 = 0
부호가 바뀌어지는 것 이외에는 첫 번째 식과 동일하다.
이것은 또한 임의의 폐 경로를 따라 발생한 전압 강하의 대수적인 합은 ‘0’이며,
임의의 폐 경로를 따라 발생한 전압 상승의 대수적인 합은 ‘0’임을 나타내는데,
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부저항
전압측정범위
전압계 감도
10MΩ
200mV
50M/V
10MΩ
2V
5M/V
10MΩ
20V
500k/V
10MΩ
200V
50k/V
10MΩ
1000V
10k/V
AC
내부저항
전압측정범위
전압계 감도
10MΩ
200mV
50M/V
10MΩ
2V
5M/V
10MΩ
20V
500k/V
10MΩ
200V
50k/V
10MΩ
750V
13.33k/V
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