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회로에서 Vdc를 구할 때는 두 개의 Si 다이오드를 통과 하므로 2VT를 빼야 하는데 처음에 하나의 다이오드의 값만 빼서 실험 결과값이 크게 달라졌었다.
10) 트랜스포머의 2차 전압을 설정하기 위해서는 DMM으로 확인하며 함수 발생기로 1차 전압
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회로에 대해 포화전류 를 계산하라.
(계산값) = 8.06㎃
c. 연습문제 1(a)와 (b)의 포화전류는 트랜지스터의 β에 민감하게 변화하는가?
포화전류 무관하다.
2. 이 실험에서 살펴본 두 회로에서 2N3904 트랜지스터를 2N4401 트랜지스터로 교체할 때 동작
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회로 내부에서 발생하는 저항에서 발생한 것이다.
6 ) 문턱전압
이론 개요에서 정의한 것처럼 각 다이오드의 점화 전위(문턱 전압)를 특성곡선 그림으로부터 결정하라. 그림2-5에 근사화한 직선을 보여라.
(Si) = 0.63V
(Ge) = 0.3V
실험결과
1. 역방향
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전압 신호의 주기를 알려면 수평감도 와 수평칸수를 곱하여주거나 고등학교 때 배웠던 공식인 주기는 진동수 분의 1이라는 공식을 사용하여도 됩니다. 0. 실험 목적
실험 이론
실험 내용 및 결과
토의 및 고찰
질의 응답
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실험을 하다 보면 오차가 항상 생기게 되기 마련이다. 위의 다른 이유들과 마찬가지로 도선의 유한한 conductivity, 부정확한 DC전원 공급, 저항이 가지고 있는 오차율, 다른 장비들의 전자기적 효과, 온도 습도 등에 의한 오차로 생각된다. ▶
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1. 실험 목적
2. 실험 준비물
3. 기초 이론
4. 실험 진행방법
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부하에 흐르는 전류의 평균값
8) %리플 =
※참고
각 파형에 따른 peak-to-peak 전압값의 실효값
정현파
톱니파
반파정류파
전파정류파 Ⅰ. 실험목적
Ⅱ. 관련이론
1. 브리지 전파 정류 회로
2. 필터 회로가 있는 브리지 전파정류회로
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경우 (100배정도) 이미터전류는 트랜지스터의 β 에 영향을 받지 않고 트랜지스터를 바꿀 경우더라도 콜렉터 전류와 콜렉터 이미터간의 전압 또한 크게 변화가 없을 것인데 이러한 실험을 하지 않고 단순히 회로만 꾸며보고 살펴보았기 때문에
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무한급수로 전개된다. x가 실수일 때 밑수 e=2.7182…이다.
4. 실험 진행 및 예상
(1) Function Generator를 사용하여 함수 발생기를 직류 오프셋(OFFSET)이 없는 1kHz의 정현파를 출력하도록 설정하라. 이때 진폭은 최소로 하라.
(2) 멀티미터를 교류 전압
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실험할 때 Amplitude가 8V라서 그 값이 크게 나왔을 뿐 다를 바가 없다.
9) 클램프 (정현파 입력)
a.회로를 꾸미고 정현파 입력을 하라
b. 각 계산치와 예상파형도
Vi = +4V 일 때 Vo = 0.549V
Vi = -4V 일 때 Vo = -7.451V
Vi =0V 일 때 Vo = -3.451V
c. 오실로스코프
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