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실험
출판사 : 복두출판사
저자 : 구성모
초판발행 : 1997년 2월 25일 발행
서명 : 디지털회로 및 시스템실험
출판사 : 청문각
저자 : 대한전자공학회
초판발행 : 2002년 7월 20일 발행 1. Title
2. Name
3. Abstract
4. Background
(1) 반가산기(half
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전자실험(김상배 저, 2009),
네이버백과(http://100.naver.com) ‘마디 전압법’, ‘망 전류법’
< 참 고 문 헌 >
기초전기전자시험 / 김상배 저 / 흥릉과학출판사 / 2009
회로이론(7판) / 제임스닐슨 저 / PEARSON / 2005 < 목 적 >
< 실 험 방 법 >
<
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6. 고 찰
옴의 법칙은 가장 기본적인 공식이다. 이 옴의 법칙을 통해서 전류나 전압, 저항 중 2가지 값만 알아도 다른 하나의 값을 알아 낼 수 있다. 이것 뿐만이 아니라 오늘의 실험을 통해서 직렬 저항 회로에서는 전압이 각 저항에 나누어 지
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때 계산값은 0.952V, 오차는 0.048V, 일 때 계산값은 0.995V, 오차는 0.005V, 일 때 계산값은 1.000V, 오차는 0이다.
3. 그림 1-6(a)에서 라면, 전압계 내부 저항 는?
-
4. 그림 1-6(b)에서 라면, 전류계 내부 저항 는?
- 아주대학교 기초전기전자실험 과목
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전압을 통해서 실험값을 구하고 이론값과 비교하는 실험이였다.
오차의 원인으로는 도선들의 저항을 무시했다는 점이다. 도선들로 인해 전체 저항이 올라갔다. 그리고 모니터에서 나오는 전자파들이 우리가 측정하는 회로에 일정정도 영향
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전압이 0.5배로 하강하기 때문이다. 따라서 이와 같이 계산된 등가 저항으로 직류 회로단을 고쳐서 실험하면 동일한 효과를 얻을 수 있다. 등가회로 치환방법은 다음과 같다.
Reference : -전기전자공학개론, Giorgio Rizzoni지음, Mc Graw Hill 출판
-회
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사용이유를 실험한 적이 있는데 BUFFER는 일반적으로 신호의 증폭이나 BOUNCE 현상을 제거하기 위해 쓰인다. 따라서 위 회로에 쓰인 CMOS BUFFER또한 같은 이유이다. CMOS는 TTL에 비해 동적 안전성이 부족하다. 이 점을 보완하기 위한 것이다.
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실험을 하는 도중 다이오드를 연결한 브릿지나 회로를 잘못 구성하여 생긴 실수라고 볼 수 있다. 이 때문에 실험결과치가 이론으로 배웠던 값과 다르게 나온 것을 볼 수 있다.
6. 참고
<김상배 저, 개정판 기초전기전자실험, 홍릉과학출판사&
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회로란 그림 5-4의 회로에서 ABCD, BDEF, ADCGH 등을 의미한다.
5. 키르히호프 법칙은 전기 및 전자공학 분야에서 가장 많이 쓰이는 법칙이므로 반드시 알아 두도록 주지시킨다. Ⅰ. 목 적
Ⅱ. 관련 이론
Ⅲ. 실험 기기 및 부품
Ⅳ. 실험 방법
Ⅴ
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회로에서의 저항의 값을 크게 사용할 경우 프로브가 회로에 미칠 수 있어 저항의 크기를 사용할 때 프로브와 시상수도 고려해야한다는 것을 알게 되었다.
References
[1]네이버 백과사전
[2]네이버 백과사전
[3]기초전기전자공학, 김종수
[4]http://do
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