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회로에 공급되는 전원에서 소비되는 것으로 본다면, 증폭이란 것이 바로 주어진 DC 전원의 전력을 변조하여 얻는 것이며 여기서 흘러나가는 전류는 전원공급라인에서 얻어지는 것이다.
- NPN일 때 컬렉터에는 주어진 전원 에너지가 베이스에
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기반으로 하여 회로를 설계해도 별 무리가 없겠다.
3. 반전 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 -
시뮬레이션 결과 값:Run to Time :10ms 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 반전 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
4. 시뮬레이션 결과
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Coupling 으로 설정하여야 출력을 확인할 수 있습니다
3. 가산 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
회로도 -
시뮬레이션 결과 값: Run to Time :50us 1. 실험 목적
2. 관련 이론
3. 가산 증폭기 P-spice 시뮬레이션 수행 결과
4. 시뮬레이션 결과
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전압이 모두 다이오드에 걸린다.
3. 실험실습 사용기기 및 재료
직류 전원 공급기
다이오드(Si: 1N4154, Ge:1N34A)
저항 330옴, 1k옴, 2.2.k옴
디지털 멀티미터
4. 실험 순서 및 방법
책에 있는 그림4(다이오드가 하나 있는 직렬회로) 그림5(다이오드가 두
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실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 : BJT B급 전력증폭기 시뮬레이션
이론(계산)값
시뮬레이션 값
12V
12V
0A
0A
-12V
-12V
1.7uA
1.776uA
■ 모의실험회로 2 : BJT B급 전력증폭기 파형측정
전압이득(시뮬레이션)
전압이득(이론
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전압을 증폭시킨다. 그러나 공통 컬렉터는 전압이 아닌 임피던스를 감소시킨다.
Vout = A Vin , A = ,
2 Pre-Lab(예비실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 : 2단 증폭기 회로
이론 값
시뮬레이션 값
28uA
28.422uA
5.1 V
5.146V
4.65 mA
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회로 실험을 Pre-Lab(4절)에서 MultiSim으
로 시뮬레이션한 데이터와 In-Lab(5절)에서 NI ELVIS II로 측정한 데이터를 비교하
라. 시뮬레이션 데이터와 측정 데이터 사이의 오차를 토의하시오.
B급
AB급
- AB급 전력 증폭기에서 멀티심에서는 16V로 전압을
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결과 보고서
실험 제목: 다이오드 응용 회로 I
1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용
■ 실험1 : DMM 이용한 소자 값 측정
1. DMM을 이용한 다이오드 전압
소자
규격
측정 값
순방향
역방향
다이오드
1N4004
0.475V
OPEN
1N4004
0.476V
OPEN
1N4004
0.471V
OPEN
1N4004
0.473V
OP
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실험 방법
1) 그림 5.1과 같이 회로를 결선하고 함수발생기로 정현파를 인가하여 신호의 크기를 로 맞춘 후, 주파수를 100Hz부터 1MHz까지 변화시켜가면서 커패시터 양단의 전압 을 오실로스코프로 측정하시오. 또한, 주파수 변화에 따른 의 변화
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실험을 통해 오실로스코프 X10 프로브와 멀티미터(전압 측정시)에 내부저항이 약 10MΩ이 있다는 것을 알게 되었고, 내부 저항값을 크게 함으로써 측정기기에 전류가 최소한으로 흐르게 하여 회로의 전압측정값에 영항을 최소한으로 미치게 한
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