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실험이었다.
Orcad결과가 책에 있는 값들과는 다소 차이가 있었다. 조교선생님께 물어본 결과 책에 있는 결과는 PSPICE의 결과이기 때문에 Orcad결과와는 다소 차이가 있을 수 있다고 들었다. 실험 .증가형 MOSFET의 단자 특성과 바이어싱
1.Orc
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전자공학 > 반도체 > 트랜지스터 > FET]
http://www.ktword.co.kr/word/abbr_view.php?m_temp1=4235&id=1341&nav=2&m_search=FET%EB%B0%94%EC%9D%B4%EC%96%B4%EC%8A%A4
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출
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바이어싱이 제대로 잡히지 않아 실험을 잘못하였는데 우리는 한번에 바이어스를 잘 잡았고 실험을 가장 빨리 끝냈다. 그래서 헤매고 있는 다른 조에게 우리 조 빵판을 빌려주기도 했다~.~ 너무너무 뿌듯하고 재미있는 실험이었다. 전자회로
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증가형 : VGS를 가하지 않았을 때는 채널이 형성되지 않고, VGS를 가함으로써 채널이 형성되게 하여, VGS를 크게 함에 따라 채널이 넓어져 ID가 증가하도록 만든 것을 증가형이라 한다.
R/E/P/O/R/T
<DIODE,TR,FET 종류와 동작특성>
과 목 광전자 공학
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결과를 도출해낼 수 있다.
③ 그림 6-4 회로의 DC 파라미터를 계산하고, 측정하여 기록한다.
파라미터
계산값
측정값
%오차
IB
430uA
404uA
6%
IC
86mA
66mA
23%
IE
86.4mA
65mA
24%
VBE
0.7V
0.7V
0%
VCE
1.4V
3.5V
150%
VCB
0.7V
2.7V
230%
7. 참고문헌
전자회로실험 P.44~49
데이
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크기 이상의 전압을 인가했을 때 출력에서 클리핑 현상이 발생하는 것을 알아보는 실험이다. 시뮬레이션과 비슷한 값으로서 약 100mV의 파형을 인가했을 때, 클리핑 현상이 발생했다는 것을 확인할 수 있다. 1. 실험 결과
2. 비고 및 고찰
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of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험]
강경인 저ㅣ문은당
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전자회로 실험, 청문각, 1997년, p.303~p.350 실험 9. 741OP-AMP 해석 실험
1. 실험 결과
실험 9.1 DC ANALYSIS
1) DC Voltage
2) DC Current
3) Offset Voltage
실험 9.2 AC ANALYSIS
실험 9.3 Transient ANALYSIS
실험 9.4 SLEW RATE ANALYSIS
2. 토의
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실험의 회로는 “연산교류적분기”의 회로로써, 입력오프셋 전압과 입력오프셋 전류의 영향으로 인해 출력전압이 포화될수 있으므로 이러한 직류 성분에 대해 이득을 제한한다. 미분기
-연산증폭기를 사용한 미분기의 간단한 회로-이상
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결과값
694
mV
0V
11.11V
11.11
-3.31
3.29
19.31
170
.38
2. 고정바이어스 회로
그림 3-2
Q2N3904
VB
VE
VC
VCE
IE(mA)
IC(mA)
IB(μA)
β
결과값
3.29V
2.59V
13.17V
10.58V
3.82
3.79
22.10
171
.49
Reference
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규,
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