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실험은 전위차계를 이용하는 실습이었기 때문에 사용한 컴퓨터에 흐르는 잔류 전류에 의해 혹은 물체를 측정하는 과정에서 발생 할 수 있는 전압강하에 의해 길이를 측정하는 과정에서 오차가 발생했을 수도 있다.
세 번째로 종이 10장을 측
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전자실험 (송재주. 한올출판사. 2000)
-기초전기전자공학 (플로이드, 토마스, 청문각, 1998)
-전기공학 기초 (동일출판사, 김진수외 1998)
-전기/전자 일반 (일진사, 허규성, 1999)
-전기전자기초실습 (신광문화사, 안전관리연구회편, 1999) 1. 실험목
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전자 기초 실험 한올 출판사 1997
이성필 고성태 박상현 한수용 전기 전자 기초 실험 대영사 1997
http://www.eungok.hs.kr/99/5/sil4.htm 1. 다이오드
(1) n 형 반도체와 p 형 반도체
(2) pn 접합과 정류 회로
(3) 다이오드의 전류 전압 특성
(4) 다이오드
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실험 예상 결과
♣ 전원장치 : 2개의 저전압용 dc 전원
♣ 장비 : 2개의 멀티레인지(multirange) 마이크로 밀리전류계(또는 20,000Ω/W VOMS); EVM
♣ 저항 : 100Ω과 4700Ω 1/2-W
♣ 반도체 : 소켓형 2N2904
♣ 기타 : 2500Ω과 5000Ω 2-W 포텐쇼미터 ; 2개의 on-off
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전자파 흡수율을 쉽게 확인할 수 있게 되었는데 전자파 흡수율은 각 자신의 휴대폰을 제조사에 들어가 전자파 흡수율을 확인 할 수 있다. 그 외에도 EMS(전자파 민감성)등이 있다.
4)특정한 주파수만을 선택할 수 있는 회로 구성은 어떻게 만들
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전자대(valence band).
(ii) 전도대(Conduction band)
(iii) Pauli의 배타원리(Pauli's exclusion principle)
(iv) 공유결합
(v) 반송자(carrier)
(vi) 부피저항(bulk resistance)
(2) 반도체소자에는 어떤 것들이 있는지 분류하여 간단히 설명하라.
(4) 그림 7, 8의 회로도에
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실험에 사용되는 장치
① 전위차계
② 증폭기
③ 엔빌
④ 높이 조절용 V-블록
⑤ LVDT
3. 실험 순서
① 보정 실습
② 일반 길이 측정 실습
③ 미소 길이 측정 실습
4. 실험 결과
① 실험 전 장비 세팅
② 보정(calibration) 실습
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험과 마찮가지로 우리가 원하던 값에 도달하지 못했다.
▣ 3.6 Degeneration R, Coupling C, Bypass C의 역할에 대해 서술하라. 설계한 회로에서 Bypass C의 유무에 따른 출력전압을 그래프로 그리고 차이점을 서술하라.
Degeneration Resister
증폭기 성능의 변
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전자통신 기초실험 (상학당)
http://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%85%8C%EB%B8%8C%EB%82%9C%EC%9D%98_%EC%A0%95%EB%A6%AC
http://www.gcomin.co.kr/static/154/F153337.html
네이버 지식인
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(2)결과보고서
1.제목
테브닌의 정리
2.목적
복합회로를 단이 전원과 저항으로
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