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BJT와 같이 접합 전계효과 트랜지스터(JFET)은 차단, 포화, 선형의 세 가지 영역에서 동작한다. JFET의 물리적 특성과 JFET에 연결된 외부회로가 동작 영역을 결정한다. 이 실험에서는 JFET의 주어진 회로 규격들에 부합하여 선형 영역에서 동작하도
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증폭기로 사용될 수 있다. 이 실험에서는 BJT의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인한다. 또한 BJT의 전류 증폭도 및 출력 저항을 측정을 통하여 확인한다.
2. 실험 기자재 및 부품
- DC 파워 서
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증폭기로 동작할 수 있다. 이 실험에서는 MOSFET의 기본적인 동작 원리를 살펴보고, 전류-전압 특성 및 동작 영역을 실험을 통하여 확인하고자 한다.
2. 실험 기자재 및 부품
- DC 파워 서플라이, 디지털 멀티미터, 오실로스코프, 함수 발생기(Fu
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회로
위 좌측 그림에서 우측 그림으로 테브난 등가 회로로 고치면
, 이고,
, ,
위 식에서 이면 는 에 무관하게 된다.
3. 사용 장비 및 부품
직류 전원 공급 장치
디지털 멀티 미터
바이폴라 트랜지스터 : 2SC1815 (1개)
4. 실험 방법
4.1 트랜지스터
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실험을 하면 더 빠르게 실험을 할 수 있었을 것이다. 동작 영역에 관련된 실험에서는 예상했던 결과와 거의 비슷한 결과값을 얻어서 실험을 순조롭게 진행할 수 있었다.
2.2 고정 바이어스 회로
2.2.1 실험 회로도
PSPICE 회로도
브레드 보드 구성
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실험자의 의지임을 다시 한번 알게 되었다.
참고문헌
- CMOS 아날로그 / 혼성모드 집적시스템 설계 (상, 하)
,이승훈 외 3명
- A/D 컨버터, 김재현, 1991년
- 전자회로실험, 이행세 외 1명, 2003년
- 디지털 전자회로, 유관식, 2001년
- OP-Amp 회로 실험, 강
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피드백저항을 조절 적당한 전압이득으로 변경
7번 램프의 추락사 (내부 균열이 예상됨)
해결 방안 : 새로 구매시 소요시간 10일 (포기) 설계 순서
역할 분담
서 론
간략 회로 설명
1차 회로도
2차 회로도
최종 회로도
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전자회로실험 (인터비젼) 교재 외
Micro electronic Circuits SedraSmith (OXFORD), NAVER
(4) PSPICE를 이용한 시뮬레이션
실험 10. BJT의 이미터 바이어스 및 콜렉터 궤환 바이어스
(1) 결정
(2) 이미터 바이어스회로
(3) 콜렉터 궤환회로(=0)
(4) 콜렉터 궤환회로(가
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r supply전원 차단. 공통 접속한 두 개의 단자 중 한 단자를
IC, TR, 콘덴서를 주의해서 연결 회로의 GND에 연결한다.
5.전압표시 LED창- 출력 전압 표시
6.출력단자(+ -> Vcc -> GMD)
7.5V/2A 출력 고정단자(사용 x)
8. DVM- INT:전원 공급시
- EXT: 외부기계
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L1+L2
L1+L2+L3
이론값
실측값
이론값
실측값
LT (uH)
99.001
99.007
98.714
98.72
실험3) RL 시정수를 구하고 전류의 변화를 그래프로 나타낸다.
T = 0.099/100sec
T(시정수 time constant) = 0.00099sec = 990us
* 고찰
- 저희 조는 이번 실험에서 인덕터를 직렬 또는 병렬로
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