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실험에서는 중첩의 원리에 대해 다루어 보았습니다.
중첩의 원리는 다수의 독립 전원을 갖는 복잡한 회로를 해석하는 데 있어서 독립 전원의 영향을 한 번에 하나씩 고려해서 값을 구하기에 아주 용이한 원리입니다. 따라서 중첩의 원리를 적
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회로에서 충분히 실험을 통해 증명할 수 있다.
실험결과 분석 및 토의
●이번 실험은 정상상태의 직류 회로망에서 의 작용과 에 걸리는 전압이 지수함수로 증가함을 실험을 통해 직접 확인해보았고, 또 직렬 및 병렬 연결된 의 전체 용량에 관
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증폭기를 이상적인 연산증폭기라고 부른다.
(1) 무한대의 전압이득 : Av = ∞
(2) 무한대의 입력저항 : Rin = ∞
(3) 영 옴인 출력저항 : Rout = ∞
(4) 무한대의 대역폭 : B = ∞
(5) 영인 오프 1. 목적
2. 이론
3. RC 빈-브리지 발진기 회로 P-spice 시
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1. 실험목적
- 다이오드의 한 방향으로만 전류를 흐르게 하는 기본 특성을 이요하여 정류회로들을 구성하고 실험을 통하여 특성을 확인하고자 한다. 또한 정류회로 중 반파 정류회로뿐만 아니라 전파 정류회로 및 브리지 정류회로의 특성도
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1. 실험 개요
- [실험11]에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기를 실험하였다. 이번 실험은 나머지 두 가지 증폭기 구조 중의 하나인 소오스 팔로워에 대한 실험이다. 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으
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9-3]에 기록하시오.
- 예비 보고서 때와는 다르게 RD 저항을 short 시키지 않고 100ohm의 값을 주어서 실험을 진행하였다. 다음의 회로는 브레드 보드에 구성한 본 실험의 회로도의 모습이다. 1. 실험 과정 및 결과
2. 실험 결론 및 분석●고찰
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실험): Multisim 사용한 모의 실험(시뮬레이션)
■ 모의실험회로 1 : 연산증폭기 입력 바이어스 전류 측정
- 모의실험 결과 그래프 및 표 :
시뮬레이션 값
비반전 입력 전압
-6.862
반전 입력 전압
-9.108
■ 모의실험회로 2 : 연산증폭기의 출력과 입
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전자회로 이론 수업시간에서 현재 배우고 있는 내용이라 더 흥미롭게 조사하였다. 멀티심을 통해 여러 가지를 실험을 하다보니 자연스럽게 트랜지스터를 배우는데 많은 도움이 되었다. 1 Pre-Lab(예비실험): 기본 이론 조사
2 Pre-Lab(예비실
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결과 보고서
실험 제목: BJT 공통 컬렉터와 베이스 증폭기 회로
1 In-Lab(본 실험): NI ELVIS II 사용
■ 실험회로 1 : DMM을 이용한 소자 값 측정
소자
규격
측정값
저항
1k
0.9821k
2.2k
2.1749k
10k
9.827
10k
9.826
10k
9.843
22k
21.930k
100k
101.09k
캐패시터
1uF
1.13uF
1uF
0
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실험회로 1-1 : NPN BJT 공통 이미터 증폭기 회로
- 모의실험 결과 그래프 및 표 :
이론(계산)값
시뮬레이션 값
31
31.086
4.75V
4.742
5mA
5.068
■ 모의실험회로 1-2 : NPN BJT 공통 이미터 증폭기 회로
- 모의실험 결과 그래프 및 표 :
이론(계산)값
시뮬레이
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