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회로에 걸리는 전압이 수 mV가 되어 측정이 어렵기 때문에 전류계 양단 a, b를 ATmega128 모듈의 A/D 증폭기에 연결하여 증폭하였고 증폭도는 100배이다. 전류계의 회로도는 <그림 5>와 같다. 전류계를 전압으로 측정하여 전압과 같이 스코프 화
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실험을 할 때, 다이오드에 걸리는 전압 가 0.1V 이내로 유지되는 의 변화 범위에서 전류의 변화를 살펴 볼 때 꽤 큰 차이가 있을 것 이다. 그리고 전류 그래프에서 KCL에 따라 전체전류
가 제너전류보다 조금 더 크고 나머지 전류는 부하로 흐름
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회로이며. 명칭으로는 기준전압 이상 또는 이하를 제한 한다는 의미로 리미터 혹은 클리핑 회로라고도 부른다. 클리핑 회로는 다이오드를 부하와 직렬, 병렬 접속 했느냐에 따라서 직렬 클리핑 회로와 병렬 클리핑 회로로 나뉜다.
실험 순서
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회로이다.
※ DC 해석
① : 입력전류 이므로 저항에 전압이 0이 된다.
관계식에서 저항 양단의 전압 이다.
② : : 증가형 EMOSFET의 경우
③ : 출력측에 전압 방정식 에서 를 구한다.
3. 토의
이번 실험에서는 신호를 입력시키기 전에 직류 DC를 가지
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실험 1. 다이오드 특성 및 반파 정류회로 실험
1. 실험 목적
반도체 다이오드의 특성을 실험적으로 구하고 다이오드 응용 회로인 반파정류회로의 동작 원리 및 출력 파형을 관찰하고 측정한다.
2. 실험 원리
① 다이오드 전압-전류 특성
다이오
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회로이고 게이트 바이어스보다는 안정하다 하지만 전압 분배기 바이어스 처럼 안정하지는 않다.
전압분배 바이어스 -Q점이 가장안전하고 회로는 복잡하다 1.제목
2.목적
3.기본이론
4.실험방법
(1)사용 기계
(2)사용 부품
5.결
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실험에서는 소신호 공통소스 FET 증폭기에 대해서 실험 했는데, 대부분의 측정값이 이론값과 비슷하게 나왔지만, 몇몇 값들은 이론값과 달랐다. 여러 가지 이유가 있었을 것 이다. 소자가 다를 수도 있기 때문에 그런 것일 수도 있고, 전류계와
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회로 역시 간단한 직렬회로였기 때문에 빠른 시간 내에 실험을 끝낼 수 있었으나, 오히려 회로의 의미와 실험과정 중 물어보는 질문에 대하여 생각하는 시간이 더 필요하였다. 전체적인 실험은 간단하였다. 하지만, 그 결과가 가지는 의미나,
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실험 시 작용하는 다른 요소들을 고려해 보았을 때에, 수 V의 여유를 더 주어야 한다고 생각했다. 그림은 실험시 사용할 Op-Amp는 741 IC칩의 datasheet이다. 과도한 입력전압을 가해줄 시 칩이 타버리는 경우가 있으니 조심하여야하고, 칩에는 고정
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비교하시오.
PSPICE 회로도
TIME DOMAIN
미분기이기 때문에 입력파형에 대한 출력파형은 입력파형을 미분한 그래프가 나타나게 된다. 미분기의 전달함수를 보면, 인 것을 확인할 수 있다. 1. 실험목적
2. 실험과정 및 예상되는 결과
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