|
증폭기의 이론적인 최대 효율 78.5%와 비교하여 표 26-3에 기록하라. 값이 78.5%보다 더 크다면 단계 8과 9를 반복하고 오차의 원인을 규명하라.
결 론
이 실험에서는 B급 푸시풀 이미터폴로워 전력증폭기의 설계와 동작 그리고 A급 증폭기 회로와
|
|
|
증폭기
E3.1 전압 이득과 입력 저항
목표 : BJT 증폭기의 중요한 기본 성질을 조사한다.
실험 장치 :
○ 그림 4.5의 회로를 구성하여라.
○ 아주 작은 신호를 측정할 때를 제외하고 파형발생기로부터 나오는 신호는 10x 프로브를 가지고 측정하
|
|
|
회로(Amplifier Circuit)에서, 입력단(Input)과 출력단(Output) 사이에 있는 임피던스(Impedance)는 전압 이득에 반비례하는 형태로 나타내어진다는 것.
Vo = AvVi 라는 이득을 알고 있다. Z는 임피던스를 의미한다.
위의 회로에 흐르는 전류는 (전압 증폭기로
|
|
|
1uF일 때 더 줄어드는 것을 알 수 있었다. 그러므로 여기서의 캐퍼시터는 바이패서 캐퍼시터라는 것을 확인할 수 있었다. 1. 제목
2) 공통 소오스 증폭기
2. 예비보고사항
3. PSPICE Simulation
1) 실험1
2) 실험2
3) 실험3
|
|
|
실험을 하였는 데 첫 번째 실험은 하틀리 발진기이다. 하틀리 발진기는 공진회로 속의 전위가 높은 부분에서 전압성분을 꺼내고 전압이득이 1 이하인 전류증폭기로 증폭하여 공진회로의 전위가 낮은 부분에 접속하는 것으로 코일에 탭을 만
|
|
|
실험보다 온도에 비교적 민감하게 반응한다. Ⅰ. 목 표
Ⅱ. 개발환경
Ⅲ. 실험
1. 단극성 입력으로 온도측정하기
- 실험개요
- 부품리스트
- 회로도
- 소스코드
- 실험결과
- 원리 및 동작해석
2. OP Amp를 이용하여
|
|
|
회로를 분석하며 BJT소자의 특성에 대해 알고 실제 회로에서 응용할 수 있는 방법을 알아본다.
Ⅰ. 실험의 필요성 및 배경
BJT소자의 특성에 관해 알아보고 스위치와 증폭기로써의 기능을 살펴본다. 또한 BJT의 세 가지 Operating mode에 대해 특징들
|
|
|
회로 설계
*계산 방법
3. 실 험
트랜지스터는 1959트랜지스터를 사용하였다.
*설계
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
TR에서 1)은 이미터 2는 베이스 3은 컬렉터
1.번 실험
VBE,VCE를 측정하라 ( DCV)
VBE = 0.64V
VCE = 3.71V
2.번 실험
Vin에 정현파 1KHZ, 50mVpp 를 인가하라
functio
|
|
|
aver.com/PostView.nhn?blogId=710hsy&logNo=220292546488&parentCategoryNo=&categoryNo=39&viewDate=&isShowPopularPosts=false&from=postView
http://terms.naver.com/entry.nhn?docId=596158&cid=614&categoryId=614
http://cad.knu.ac.kr/micro/bjt/ceamp.html 제목
실험 목적
실험 장비
이론(PSpice 포함)
|
|
|
위 아래로 옮길 수 있어 신호의 범위가 다른 경우 즉 양의 신호와 음에
서 양까지 변화하는 신호를 각각 비추어 볼 수 있다. 전자학컴퓨터 실험
오실로스코프 란?
오실로스코프의 원리
오실로스코프의 기능
오실로스코프 작동방법
|
|
메뉴펼치기
