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실험을 통해 새로 알게된 사실은 아무런 입력파형이 없더라도 트랜지스터에는 아이들링 전류가 흐른다는 점이고, 아이들링 전류는 5mA 를 초과해서는 안된다는 점도 알게되었다. 1. 보고서 요약 2. 각 실험별 측정결과와 분석 1) 신호가
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  • 등록일 2006.05.31
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a)의 회로에서 전원을 2V로 조정하라. 출력전압을 측정하여 기록하라. ② 4, 6, 8, 10, 12, 14V 전원전압에 따라 단계①을 반복하라. ③ 위의 데이터로부터 포토커플러의 전달특성(VOUT 대VS)을 그려라. 실험결과 실험 목적 관련이론 사용 및
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  • 등록일 2010.01.05
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회로(AND gate) 2)논리합 회로(OR gate) 3)논리 부정 회로(NOT gate) 4)NAND 회로 (NAND gate) 5)NOR 회로 (NOR gate) 6)배타적 논리 합 회로(exclusive-OR gate) 7)비교기 8)반가산기 9)반감산기 10)플립플롭 실험방법 (1)AND와 OR 게이트의 특성 (2)NOT 와 NAND게이트
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  • 등록일 2010.12.17
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실험은 잘하여진 것 같으나 그 원인을 책과 인터넷을 뒤져봄에도 불구하고 알 수가 없었던 점이 아쉽다. 4. 참 고 자 료 ① 일반물리학 / 이영재 외 9명 / 형설출판사 ② 회로이론 / 김동희 외 2명 / 인터비젼 ③ http://cafe.naver.com/science2.cafe?iframe_ur
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  • 등록일 2006.12.22
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.   - 동기 전동기를 기동할 때에 초기 속도가 0인 상태, 즉 동기상태가 어느 정도 되지 않은 상태에서는 기동이 불가능하다. 따라서 초기에는 유도기로서의 과정을 거쳐서 기동해야 한다. 1. 실험 결과 2. 연구 검토 및 결과 3. 결론
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  • 등록일 2014.03.04
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실험 결과(도표, 그림, 측정값, 계산값 및 해석 등) 6. Time = 850 ㎲ Volts/cm = 15.02 , Time/cm = 5cm 9. Time = 95 ㎲( 10. 가. 100kΩ 저항과 0.01㎌의 TC= 1000 ㎲ 나. 10kΩ 저항과 0.01㎌의 TC= 100 ㎲ 14. Time = 1520 ㎲ 16. Time = 1900 ㎲ 20. Time = 360 ㎲ 22. Time = 3800 ㎲ → 3440
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  • 등록일 2011.12.06
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6번핀에 0.1uF RYPASS 콘덴서를 달아준다. 1-2-2 ( 16V 근방 ) 16V일때 정상동작 1-2-3 ( 8~9V 사이 ) 8.7V 1-2-4 전력소비를 낭비 즉, 하지 않기 위해서 IC가 동작하게 되면 POWER 소비가 커져서 전류 갑작스럽게 커진다. 그래서 회로가 안정된 동작을 하기 위
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  • 등록일 2008.12.14
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그것도 문제가 된 것 같았다. e회로도를 보고 반대로 해서 연결하여도 최대로 하여도 계속 0.8정도의 값이 뜨니 실험이 진행되지 않아서 뒤에 IB = 30μA에서 측정하는 것도 진행이 되지를 않아서 여러모로 힘들었던 실험이었던 것 같다. 
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  • 등록일 2009.12.21
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실험과정 1. Weighing 14 2. Ball Milling 15 3. Drying 15 4. Calcination 16 5. Forming 17 6. Sintering 17 7. Characterization - XRD(X-선 회절분석)사진 / S.E.M 18 제 4 장 실험결과 분석 및 토론 실험결과 분석 20 제 5 장 결론 및 참고문헌 참고문
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  • 등록일 2013.07.17
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6. 멀티미디어 자료 7. 실습 보고서 실 습 보 고 서 실습일 : 월 일 과 반 이름 : 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W 실 습 보 고 서 실습일 : 월 일 과 반 이름 : 1. 트랜지스터의 측정법 2. 저항값 읽기
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  • 등록일 2010.02.03
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