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, 교문사 p.394
⑤ http://physica.gsnu.ac.kr/PhysEdu/modexp/Pelect2/main.htm
⑥ http://www.sejon.or.kr/simpl/si_c/11_yamamodo/11y04_02.shtml
⑦ http://www.mathtown.pe.kr/Dk/D1067.htm Ⅰ. 실험 제목
Ⅱ. 실험 일자, 목적
Ⅲ. 실험 이론
Ⅳ. 실험 기기 및 방법
Ⅴ.예비고찰
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회로의 schematic 및 VB, VE, IE, IC, VC, IB 를 확인하고 해당 표에 포함하여 시뮬레이션 결과의 적절성을 보여라.
※ Transistor : Q2N3904
1. 고정바이어스 회로
그림 3-1
Q2N3904
VB
VE
VC
VCE
IE(mA)
IC(mA)
IB(μA)
β
결과값
694
mV
0V
11.11V
11.11
-3.31
3.29
19.31
170
.38
2. 고
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64
[Fundamentals of Microelectronics]
B.Razavi 저 | John Wiley 2nd Edition
[전자회로실험]
이현규, 김영석 저 | 충북대학교출판부
[FLOYD 기초회로실험 제9판 - 원리와 응용]
David M. Buchla 저 | 도서출판 ITC
[전기 전자 통신공학도를 위한 기초회로실험]
강경인 저ㅣ
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.doopedia.co.kr/doopedia/master/master.do?_method=view&MAS_IDX=101013000712657)
[함수발생기 장비사진]
(http://www.conrad.com/ce/en/product/123113/VOLTCRAFT-8202-Function-Generator-Frequency-Generator)
[멀티미터 장비사진]
(http://programatory.com.pl/sklep/index.php?p292,multimetr-mxd-4660a-metex)&nbs
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저항이 10MΩ으로 높아져도 부하 변동률 와 부하 전압의 변화는 없었다.
100Ω
1KΩ
10KΩ
100KΩ
1MΩ
10MΩ
1.05V
2.95V
2.97V
2.97V
2.97V
2.97V
0.175
0.492
0.495
0.495
0.495
0.495 1. 실험 목적
2. 이론적 배경
3. 사용 장비 및 부품
4. 실험 방법
5. 예비 보고 사항
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진리표를 가지고서 측정값과 비교를 해주면 되겠다.
2 - (1)
NAND 게이트를 이 ●실험에 관련된 이론
●실험 방법 및 유의 사항
●참고문헌
●실험 회로 및 시뮬레이션 결과
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양단에는 항상 일정한 제너 전압 VZ가 유지 된다는 점이다. Vz는 1.8 ~ 수백[V]이고, 전력소비는 500mW ~ 50W이다.
제너다이오드의 기호는 옆의 그림과 같다.
Pspice simulation
Pspice로 회로는 그려봤는데 시뮬레이션은 어떻게 하는지 모르겠습니다.
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회로 해석
이므로 이다. 입력 측에서 KVL을 적용하면
부하선의 방정식으로 직선을 그려 동작점을 결정할 수 있다.
PSpice 모의실험 12-1
드레인-소스 전압
답 : 2.235V
2. 게이트-소스 전압
답 : 891.1mV
3. 드레인 전류
답 : 2.577mA
4. 게이트 전류
답 : 6.527
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A6%AC%EC%A7%80_%ED%9A%8C%EB%A1%9C
키르히호프 법칙
https://namu.wiki/w/%ED%82%A4%EB%A5%B4%ED%9E%88%ED%98%B8%ED%94%84%EC%9D%98%20%EB%B2%95%EC%B9%99
AND게이트
https://ko.wikipedia.org/wiki/%EB%85%BC%EB%A6%AC_%ED%9A%8C%EB%A1%9C
http://minhaep.tistory.com/35 제목
실험 목적
실험 장비
이론
출
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귀환 바이어스, 이미터 바이어스
http://cheucheu.tistory.com/42
전압 분배 바이어스
http://www.ktword.co.kr/abbr_view.php?m_temp1=5016
https://ko.wikipedia.org/wiki/%ED%8A%B8%EB%9E%9C%EC%A7%80%EC%8A%A4%ED%84%B0 제목
실험 목적
실험 장비
이론
출처
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