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회로에 흐르는 전류값과 c, d 양단간의 전압을 측정하여 표에 기록한다.
(9) (1)~(4)의 과정을 거쳐 얻은 R1, R2, R3 값으로부터 식 (5)에 의해 계산된 직렬 회로의 등가저항값과 (5)~(6)의 과정에 의하여 얻은 실험치를 비교한다.
식 (5) :
(10) 식 (8)에 의
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6개) 로 할당되어 있다. 본 디지털 시계에서는 아래와 같이 총 5 byte의 데이터를 저장하고 불러온다. Ⅰ. 목 표
Ⅱ. 개발환경
Ⅲ. 제작
1. 부품리스트
2. 회로도
3. 소스코드
4. 실험결과
5. 기능별 원리 및 동작해석
(1) Timer/counter를 이
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예비 시뮬레이션 결과와 측정 결과를 비교해보면 근소한 오차로 값이 대부분 비슷한데 R-L 병렬회로의 전체 전류에서 오차가 크게 발생하여 다시 Pspice로 시뮬을 돌려보니 Pspice의 IT의 범위가 (760.466 mA ~ 5.2472 A)로 나타났고, 이를 0 A로 기준 잡
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회로를 제작할 때도 큰 어려움이 없었다. 기초전자물리학실험2
결과보고서 (실험1)
1. 실험 장비 및 도구 사용법1 (기초전자공학실험1)
1. 실험의 목표
2. 실험 장비 및 재료
3. 실험 방법 및 분석
실험 1 A. 도통 테스터기(Conductor Test
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실험을 프로브 배율이 X1일 때와 X10일 때 두 가지 경우에 대해 해보고, 결과를 비교하시오.
6. 다음 회로에서 Square wave를 입력했을 때 출력 파형을 관찰하여라.
(Vpp = 1 V, f = 1kHz, time division = 10 us)
- Short circuit
- Open circuit
- 1개의 Resistor(1 k
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a)는 교류 입력 신호 Vi > (-Vr) 일때 다이오드는 도통하여 출력 전압의 크기는 Vr + {(Vi + Vr)Rf / (R + Rf)}로 된다. 따라서 출력 전압 파형은 그림 3(c)와 같이 된다. 만일 Rf << R라면 그것은 그림 3 (d)와 같이 된다. 1. 실험 목적
2. 관련 이론
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실험결과 예상 (이론값)
실험(1)
R1
V0
I0
실험(2)
I1
I2
I3
I4
I5
I6
실험(3)
I1
I2
I3
V1
V2
V3
Va=9V
Vb=9V
Va=9V
Vb=12V
Va=12V
V1b=9V
3. 참고문헌
- 전기 전자 개론 (광명)
- 일반 전자 공학 (삼원출판)
- 전기 공학 (학문사) 1. 실험목적
2. 이론적 배경
3. 실험결과
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6. 풀업 저항이란 무엇인가?
오픈 컬렉터형 게이트를 이용할 때 게이트 외부에서 연결해 주는 저항이다. 입력 게이트수와 출력 게이트 수에
따라 풀업저항을 결정한다.
7. 기초실험 (2) (a) 회로의 실험결과를 이용하여 타이밍도를 그리시오.
A
B
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출력(Y)
(V)
A(V)
B(V)
0
0
0
5
0
5
0
5
5
0
5
0
5
5
5
0
5. 기초실험 (2)의 실험결과에 대한 타이밍도를 그리시오.
A
B
C
X
6. 다음 OR 게이트 회로의 논리식을 쓰시오.
X = ((A+B)+C)+D
Y = (A+B)+(C+D)
7. 다음 AND 게이트 회로의 논리식을 쓰시오.
X = ((AB)C)D
Y = (AB)(CD)
8. 본
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Vcc= = 10v 일때Vcc= = 15v 일때 1). 실험목적
2). 실험 이론
1. 트랜지스터 데이터
2. 트랜지스터와 그 응용의 간단한 설명
3. 외형적인 데이터
4. 최대정격
5. 트랜지스터 특성 곡선
6. 커브 트레이서
3) 실험 방법
시뮬레이션 결과
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